Справочник MOSFET. FQB16N25TM

 

FQB16N25TM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQB16N25TM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 142 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 27 nC
   trⓘ - Время нарастания: 140 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.23 Ohm
   Тип корпуса: D2-PAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FQB16N25TM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:740K  fairchild semi
 fqb16n25tm.pdf pdf_icon

FQB16N25TM

May 2000TMQFETQFETQFETQFETFQB16N25 / FQI16N25250V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 16A, 250V, RDS(on) = 0.23 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 27 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 23 pF)This advanced technology h

 6.1. Size:761K  fairchild semi
 fqb16n25ctm fqi16n25ctu.pdf pdf_icon

FQB16N25TM

June 2006 QFETFQB16N25C/FQI16N25C250V N-Channel MOSFETFeatures Description 15.6A, 250V, RDS(on) = 0.27 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effecttransistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low gate charge ( typical 41nC)stripe, DMOS technology.This advanced technology has been especially tailored to Low Crss ( typica

 8.1. Size:737K  fairchild semi
 fqb16n15tm.pdf pdf_icon

FQB16N25TM

April 2000TMQFETQFETQFETQFETFQB16N15 / FQI16N15150V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 16.4A, 150V, RDS(on) = 0.16 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 23 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 30 pF)This advanced technolo

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: FQAF17N40 | HY1607MF | STQ1NK80ZR-AP | HY3215W | HY3403V | FQB19N10TM | STS4DNFS30L

 

 
Back to Top

 


 
.