IRFW510A
Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRFW510A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33
W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100
V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20
V
|Id| ⓘ - Максимально
допустимый постоянный ток стока: 5.6
A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175
°C
tr ⓘ -
Время нарастания: 14
ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 55
pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4
Ohm
Тип корпуса:
TO263
Аналог (замена) для IRFW510A
-
подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRFW510A
Datasheet (PDF)
9.4. Size:266K fairchild semi
irfw550a irfi550a.pdf 
IRFW/I550AAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 100 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.04 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 40 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaD2-PAK I2-PAK 175 C Operating Temperature2A (Max.) @ VDS = 100V Lower Leakage Current : 10 Lower RDS(ON) : 0.032 (Typ.)112331. Gat
9.5. Size:508K samsung
irfw530a.pdf 
Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 100 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.11 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 14 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area 175 Operating Temperature2 Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 100V Lower RDS(ON) : 0.092 (Typ.)112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbs
9.6. Size:508K samsung
irfw540a.pdf 
Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 100 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.052 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 28 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area 175 Operating Temperature2 Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 100V Lower RDS(ON) : 0.041 (Typ.)112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbso
9.7. Size:513K samsung
irfw550a.pdf 
Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 100 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.04 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 40 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area 175 Operating Temperature2 Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 100V Lower RDS(ON) : 0.032 (Typ.)112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute
9.8. Size:503K samsung
irfw520a.pdf 
Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 100 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 9.2 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area 175 Operating Temperature2 Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 100V Lower RDS(ON) : 0.155 (Typ.)112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbso
Другие MOSFET... IRFU9210
, IRFU9212
, IRFU9214
, IRFU9220
, IRFU9222
, IRFU9310
, IRFUC20
, IRFW450
, IRFB4110
, IRFW520A
, IRFW530A
, IRFW540A
, IRFW550A
, IRFW610A
, IRFW614A
, IRFW620A
, IRFW624A
.
History: CEF6601
| STH12N60FI
| HY3008PL
| 2N7275R
| IXTP1N80P
