Справочник MOSFET. FQB55N06TM

 

FQB55N06TM MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: FQB55N06TM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 133 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 55 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 35 nC

Время нарастания (tr): 130 ns

Выходная емкость (Cd): 490 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.02 Ohm

Тип корпуса: D2-PAK

Аналог (замена) для FQB55N06TM

 

 

FQB55N06TM Datasheet (PDF)

1.1. fqb55n06tm.pdf Size:602K _fairchild_semi

FQB55N06TM FQB55N06TM

May 2001 TM QFET FQB55N06 / FQI55N06 60V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect • 55A, 60V, RDS(on) = 0.020Ω @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild’s proprietary, • Low gate charge ( typical 35 nC) planar stripe, DMOS technology. • Low Crss ( typical 85 pF) This advanced technology has been especially t

4.1. fqb55n10tm.pdf Size:1039K _fairchild_semi

FQB55N06TM FQB55N06TM

October 2008 QFET® FQB55N10 / FQI55N10 100V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect • 55A, 100V, RDS(on) = 0.026Ω @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild’s proprietary, • Low gate charge ( typical 75 nC) planar stripe, DMOS technology. • Low Crss ( typical 130 pF) This advanced technology has been especia

4.2. fqb55n10 fqi55n10.pdf Size:1056K _fairchild_semi

FQB55N06TM FQB55N06TM

October 2008 QFET® FQB55N10 / FQI55N10 100V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect • 55A, 100V, RDS(on) = 0.026Ω @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild’s proprietary, • Low gate charge ( typical 75 nC) planar stripe, DMOS technology. • Low Crss ( typical 130 pF) This advanced technology has been especia

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top