FQB55N06TM datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FQB55N06TM  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 133 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 490 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: D2-PAK

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для FQB55N06TM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQB55N06TM даташит

 ..1. Size:602K  fairchild semi
 fqb55n06tm.pdf pdf_icon

FQB55N06TM

May 2001 TM QFET FQB55N06 / FQI55N06 60V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 55A, 60V, RDS(on) = 0.020 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 35 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 85 pF) This advanced technology has been especially t

 8.1. Size:1039K  fairchild semi
 fqb55n10tm.pdf pdf_icon

FQB55N06TM

October 2008 QFET FQB55N10 / FQI55N10 100V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 55A, 100V, RDS(on) = 0.026 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 75 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 130 pF) This advanced technology has been especia

 8.2. Size:1056K  fairchild semi
 fqb55n10 fqi55n10.pdf pdf_icon

FQB55N06TM

October 2008 QFET FQB55N10 / FQI55N10 100V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 55A, 100V, RDS(on) = 0.026 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 75 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 130 pF) This advanced technology has been especia

Другие IGBT... FQB4N20TM, FQB4N25TM, FQB4N50TM, FQB4N90TM, FQB4P25TM, FQB4P40TM, FQB50N06LTM, FQB50N06TM, IRFP250N, FQB55N10TM, FQB5N15TM, FQB5N20LTM, FQB5N20TM, FQB5N30TM, FQB5N40TM, FQB5N50CFTM, FQB5N50CTM