FQB55N06TM MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FQB55N06TM
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 133 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 55 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 35 nC
Время нарастания (tr): 130 ns
Выходная емкость (Cd): 490 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.02 Ohm
Тип корпуса: D2-PAK
Аналог (замена) для FQB55N06TM
FQB55N06TM Datasheet (PDF)
1.1. fqb55n06tm.pdf 
Size:602K _fairchild_semi
May 2001 TM QFET FQB55N06 / FQI55N06 60V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect • 55A, 60V, RDS(on) = 0.020Ω @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild’s proprietary, • Low gate charge ( typical 35 nC) planar stripe, DMOS technology. • Low Crss ( typical 85 pF) This advanced technology has been especially t
4.1. fqb55n10 fqi55n10.pdf Size:1056K _fairchild_semi
October 2008 QFET FQB55N10 / FQI55N10 100V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 55A, 100V, RDS(on) = 0.026? @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 75 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 130 pF) This advanced technology has been especially tailored t
4.2. fqb55n10tm.pdf Size:1039K _fairchild_semi
October 2008 QFET® FQB55N10 / FQI55N10 100V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect • 55A, 100V, RDS(on) = 0.026Ω @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild’s proprietary, • Low gate charge ( typical 75 nC) planar stripe, DMOS technology. • Low Crss ( typical 130 pF) This advanced technology has been especia
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BUK637-400B | BUK437-500A | CMI80N06 | CMB80N06 | CMP80N06 | MTY30N50E | 2SK3262-01MR | VN88AF | TK290P60Y | SW069R10VS | SUP70040E | SUD25N15-52-E3 | STP30NF10FP | SKS10N20 | SiHA11N80E |