Справочник MOSFET. FQB55N06TM

 

FQB55N06TM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQB55N06TM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 133 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 35 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 490 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: D2-PAK
 

 Аналог (замена) для FQB55N06TM

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQB55N06TM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:602K  fairchild semi
 fqb55n06tm.pdf pdf_icon

FQB55N06TM

May 2001TMQFETFQB55N06 / FQI55N0660V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 55A, 60V, RDS(on) = 0.020 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 35 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 85 pF)This advanced technology has been especially t

 8.1. Size:1039K  fairchild semi
 fqb55n10tm.pdf pdf_icon

FQB55N06TM

October 2008QFETFQB55N10 / FQI55N10100V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 55A, 100V, RDS(on) = 0.026 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 75 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 130 pF)This advanced technology has been especia

 8.2. Size:1056K  fairchild semi
 fqb55n10 fqi55n10.pdf pdf_icon

FQB55N06TM

October 2008QFETFQB55N10 / FQI55N10100V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 55A, 100V, RDS(on) = 0.026 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 75 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 130 pF)This advanced technology has been especia

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , RFP50N06 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top

 


 
.