IRF2204SPBF. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRF2204SPBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 170 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 140 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1570 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0036 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для IRF2204SPBF
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRF2204SPBF даташит
irf2204lpbf irf2204spbf.pdf
PD - 95491A IRF2204SPbF Typical Applications IRF2204LPbF Industrial Motor Drive HEXFET Power MOSFET D Features VDSS = 40V Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating RDS(on) = 3.6m G 175 C Operating Temperature Fast Switching ID = 170A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax S Lead-Free Description This HEXFET Power MOSFET util
irf2204s.pdf
INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IRF2204S FEATURES With TO-263( D2PAK ) packaging High speed switching Low gate input resistance Standard level gate drive Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM
irf2204.pdf
PD - 94434 AUTOMOTIVE MOSFET IRF2204 Typical Applications HEXFET Power MOSFET Electric Power Steering D 14 Volts Automotive Electrical Systems VDSS = 40V Features Advanced Process Technology RDS(on) = 3.6m Ultra Low On-Resistance G Dynamic dv/dt Rating 175 C Operating Temperature ID = 210A S Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed u
irf2204pbf.pdf
PD - 95490A IRF2204PbF Typical Applications HEXFET Power MOSFET Industrial Motor Drive D Features VDSS = 40V Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance RDS(on) = 3.6m Dynamic dv/dt Rating G 175 C Operating Temperature ID = 210A Fast Switching S Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free Description This HEXFET Power MOSFET utilizes the las
Другие IGBT... FQD6N25TF, FQD6N25TM, FQD6N40CTF, FQD6N40CTM, FQD6N40TF, FQD6N40TM, IRF2204LPBF, IRF2204PBF, K2611, IRF22N60C, IRF2804LPBF, IRF2804PBF, IRF2804S-7PPBF, IRF2804SPBF, IRF2805LPBF, IRF2805PBF, IRF2805SPBF
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUW033N08BG | AUW025N10 | AUR030N10 | AUR020N10 | AUR020N085 | AUR014N10 | AUP074N10 | AUP065N10 | AUP062N08BG | AUP060N08AG | HYG053N10NS1B | HYG053N10NS1P | AP220N04T | AP220N04P | QM3126M3 | AUP060N055
Popular searches
f1010e mosfet | 2sc3883 | c3306 datasheet | hy3810 | c711 transistor | k3599 transistor datasheet | 2sc1735 | transistor 2sc5200



