Справочник MOSFET. IRF2807ZLPBF

 

IRF2807ZLPBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF2807ZLPBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 79 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0094 Ohm
   Тип корпуса: TO-262
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF2807ZLPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:399K  international rectifier
irf2807zpbf irf2807zspbf irf2807zlpbf.pdfpdf_icon

IRF2807ZLPBF

PD - 95488AIRF2807ZPbFIRF2807ZSPbFFeaturesIRF2807ZLPbF Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt RatingD 175C Operating TemperatureVDSS = 75V Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free RDS(on) = 9.4mGID = 75ADescriptionS This HEXFET Power MOSFET utilizes the latestprocessing techni

 ..2. Size:399K  international rectifier
irf2807zlpbf irf2807zpbf irf2807zspbf.pdfpdf_icon

IRF2807ZLPBF

PD - 95488AIRF2807ZPbFIRF2807ZSPbFFeaturesIRF2807ZLPbF Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt RatingD 175C Operating TemperatureVDSS = 75V Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free RDS(on) = 9.4mGID = 75ADescriptionS This HEXFET Power MOSFET utilizes the latestprocessing techni

 5.1. Size:256K  inchange semiconductor
irf2807zl.pdfpdf_icon

IRF2807ZLPBF

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRF2807ZLFEATURESWith To-262 packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 75

 6.1. Size:173K  international rectifier
irf2807z.pdfpdf_icon

IRF2807ZLPBF

PD - 94659IRF2807ZAUTOMOTIVE MOSFETHEXFET Power MOSFETFeaturesD Advanced Process TechnologyVDSS = 75V Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt RatingRDS(on) = 9.4m 175C Operating TemperatureG Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxID = 75ASDescriptionSpecifically designed for Automotive applications, this HEXFET PowerMOSFET utilizes th

Другие MOSFET... IRF2804S-7PPBF , IRF2804SPBF , IRF2805LPBF , IRF2805PBF , IRF2805SPBF , IRF2807PBF , IRF2807SPBF , IRF2807LPBF , IRF740 , IRF2807ZPBF , IRF2807ZSPBF , IRF2903ZLPBF , IRF2903ZPBF , IRF2903ZSPBF , IRF2907ZLPBF , IRF2907ZPBF , IRF2907ZS-7PPBF .

History: DMN3052LSS | FHF630A

 

 
Back to Top

 


 
.