Справочник MOSFET. IRF3710SPBF

 

IRF3710SPBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF3710SPBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 57 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 58 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для IRF3710SPBF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF3710SPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:291K  international rectifier
irf3710lpbf irf3710spbf.pdfpdf_icon

IRF3710SPBF

PD - 95108AIRF3710SPbFIRF3710LPbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Ultra Low On-Resistance DVDSS = 100Vl Dynamic dv/dt Ratingl 175C Operating TemperatureRDS(on) = 23ml Fast SwitchingGl Fully Avalanche Ratedl Lead-FreeID = 57ASDescriptionAdvanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifier utilizeadvanced processing techniques to

 6.1. Size:275K  international rectifier
irf3710s irf3710l.pdfpdf_icon

IRF3710SPBF

PD - 94201BIRF3710SIRF3710LHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Ultra Low On-Resistance DVDSS = 100Vl Dynamic dv/dt Ratingl 175C Operating TemperatureRDS(on) = 23ml Fast SwitchingGl Fully Avalanche RatedID = 57ASDescriptionAdvanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifier utilizeadvanced processing techniques to achieve extremely

 6.2. Size:184K  international rectifier
irf3710s.pdfpdf_icon

IRF3710SPBF

PD -91310CIRF3710S/LHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Surface Mount (IRF3710S)VDSS = 100V Low-profile through-hole (IRF3710L) 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.025 Fast SwitchingG Fully Avalanche RatedID = 57ADescriptionSFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely lo

 6.3. Size:258K  inchange semiconductor
irf3710s.pdfpdf_icon

IRF3710SPBF

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRF3710SFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Volt

Другие MOSFET... IRF3709ZCL , IRF3709ZCLPBF , IRF3709ZLPBF , IRF3709ZPBF , IRF3709ZSPBF , IRF3710A , IRF3710LPBF , IRF3710PBF , IRF530 , IRF3710ZLPBF , IRF3710ZPBF , IRF3710ZSPBF , IRF3711 , IRF3711L , IRF3711LPBF , IRF3711PBF , IRF3711S .

History: CEM6428 | BUZ91A | LSD60R1K4HT | 2SK2701 | RHU003N03FRA | AONE36132 | IPD038N06N3G

 

 
Back to Top

 


 
.