Справочник MOSFET. FQD8P10TM

 

FQD8P10TM MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FQD8P10TM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 44 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6.6 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 12 nC
   Время нарастания (tr): 110 ns
   Выходная емкость (Cd): 120 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.53 Ohm
   Тип корпуса: D-PAK

 Аналог (замена) для FQD8P10TM

 

 

FQD8P10TM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:640K  fairchild semi
fqd8p10tm f085.pdf

FQD8P10TM
FQD8P10TM

December 2010FQD8P10TM_F085100V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -6.6A, -100V, RDS(on) = 0.53 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 12 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 30 pF)This advanced technology has been especially tailor

 ..2. Size:705K  fairchild semi
fqd8p10tf fqd8p10tm fqd8p10 fqu8p10 fqu8p10tu.pdf

FQD8P10TM
FQD8P10TM

TMQFETFQD8P10 / FQU8P10100V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -6.6A, -100V, RDS(on) = 0.53 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 12 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 30 pF)This advanced technology has been especially tailored

 0.1. Size:673K  onsemi
fqd8p10tm-f085.pdf

FQD8P10TM
FQD8P10TM

FQD8P10TM-F085Features100V P-Channel MOSFET -6.6A, -100V, RDS(on) = 0.53 @VGS = -10 V Low gate charge ( typical 12 nC)General Description Low Crss ( typical 30 pF)These P-Channel enhancement mode power field effect Fast switchingtransistors are produced using ON Semiconductors 100% avalanche testedproprietary, planar stripe, DMOS technology. Imp

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top