FQD8P10TM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQD8P10TM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.53 Ohm

Тип корпуса: D-PAK

Аналог (замена) для FQD8P10TM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQD8P10TM даташит

 ..1. Size:640K  fairchild semi
 fqd8p10tm f085.pdf pdf_icon

FQD8P10TM

December 2010 FQD8P10TM_F085 100V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -6.6A, -100V, RDS(on) = 0.53 @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 12 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 30 pF) This advanced technology has been especially tailor

 ..2. Size:705K  fairchild semi
 fqd8p10tf fqd8p10tm fqd8p10 fqu8p10 fqu8p10tu.pdf pdf_icon

FQD8P10TM

TM QFET FQD8P10 / FQU8P10 100V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -6.6A, -100V, RDS(on) = 0.53 @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 12 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 30 pF) This advanced technology has been especially tailored

 0.1. Size:673K  onsemi
 fqd8p10tm-f085.pdf pdf_icon

FQD8P10TM

FQD8P10TM-F085 Features 100V P-Channel MOSFET -6.6A, -100V, RDS(on) = 0.53 @VGS = -10 V Low gate charge ( typical 12 nC) General Description Low Crss ( typical 30 pF) These P-Channel enhancement mode power field effect Fast switching transistors are produced using ON Semiconductor s 100% avalanche tested proprietary, planar stripe, DMOS technology. Imp

Другие IGBT... FQD7N30TF, FQD7N30TM, FQD7P06TF, FQD7P06TM, FQD7P20TF, FQD7P20TM, FQD8N25TF, FQD8P10TF, MMIS60R580P, FQD9N25TF, FQD9N25TM, FQE10N20CTU, FQH140N10, FQH18N50V2, FQH44N10F133, FQH70N10, FQH90N15