Справочник MOSFET. FQD9N25TF

 

FQD9N25TF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQD9N25TF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 105 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.42 Ohm
   Тип корпуса: D-PAK
 

 Аналог (замена) для FQD9N25TF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQD9N25TF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:562K  fairchild semi
 fqd9n25tf fqd9n25tm fqd9n25 fqu9n25 fqu9n25tu.pdf pdf_icon

FQD9N25TF

May 2000TMQFETQFETQFETQFETFQD9N25 / FQU9N25250V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 7.4A, 250V, RDS(on) = 0.42 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 15.5 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 15 pF)This advanced technology

 6.1. Size:747K  fairchild semi
 fqd9n25tm f085.pdf pdf_icon

FQD9N25TF

February 2011FQD9N25TM_F085QFETQFET250V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 7.4A, 250V, RDS(on)=0.42 @V =10VGStransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge (typical 15.5nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss (typical 15pF)This advanced technology has been especial

 7.1. Size:905K  onsemi
 fqd9n25 fqu9n25.pdf pdf_icon

FQD9N25TF

FQD9N25 / FQU9N25N-Channel QFET MOSFET250 V, .4 A, Features 7.4 A, 250 V, RDS(on) = 420 m (Max.) @VGS = 10 V,ID = 3.7 ADescription Low Gate Charge (Typ. 15.5 nC)This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using ON Semiconductors proprietary Low Crss (Typ. 15 pF)planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has

Другие MOSFET... FQD7N30TM , FQD7P06TF , FQD7P06TM , FQD7P20TF , FQD7P20TM , FQD8N25TF , FQD8P10TF , FQD8P10TM , HY1906P , FQD9N25TM , FQE10N20CTU , FQH140N10 , FQH18N50V2 , FQH44N10F133 , FQH70N10 , FQH90N15 , FQI10N20CTU .

 

 
Back to Top

 


 
.