FQI19N20CTU. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQI19N20CTU

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 139 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 195 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm

Тип корпуса: I2-PAK

Аналог (замена) для FQI19N20CTU

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQI19N20CTU даташит

 ..1. Size:1167K  fairchild semi
 fqb19n20ctm fqb19n20c fqi19n20c fqi19n20ctu.pdf pdf_icon

FQI19N20CTU

October 2008 QFET FQB19N20C/FQI19N20C 200V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 19.0A, 200V, RDS(on) = 0.17 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 40.5 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 85 pF) This advanced technology has been espec

 6.1. Size:831K  fairchild semi
 fqb19n20tm fqb19n20 fqi19n20 fqi19n20tu.pdf pdf_icon

FQI19N20CTU

October 2008 QFET FQB19N20 / FQI19N20 200V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 19.4A, 200V, RDS(on) = 0.15 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 31 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 30 pF) This advanced technology has been espec

 6.2. Size:839K  fairchild semi
 fqb19n20ltm fqb19n20l fqi19n20l.pdf pdf_icon

FQI19N20CTU

October 2008 QFET FQB19N20L / FQI19N20L 200V LOGIC N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 21A, 200V, RDS(on) = 0.14 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 27 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 30 pF) This advanced technology has been

Другие IGBT... FQI13N06LTU, FQI13N06TU, FQI13N50CTU, FQI15P12TU, FQI16N25CTU, FQI17N08LTU, FQI17N08TU, FQI17P06TU, IRFB4227, FQI19N20TU, FQI1P50TU, FQI27N25TU, FQI27P06TU, FQI2N30TU, FQI2N90TU, FQI2NA90TU, FQI2P25TU