Справочник MOSFET. FQI19N20CTU

 

FQI19N20CTU MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FQI19N20CTU
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 139 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 40.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 150 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 195 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm
   Тип корпуса: I2-PAK

 Аналог (замена) для FQI19N20CTU

 

 

FQI19N20CTU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1167K  fairchild semi
 fqb19n20ctm fqb19n20c fqi19n20c fqi19n20ctu.pdf

FQI19N20CTU FQI19N20CTU

October 2008QFETFQB19N20C/FQI19N20C200V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 19.0A, 200V, RDS(on) = 0.17 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 40.5 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 85 pF)This advanced technology has been espec

 6.1. Size:831K  fairchild semi
 fqb19n20tm fqb19n20 fqi19n20 fqi19n20tu.pdf

FQI19N20CTU FQI19N20CTU

October 2008QFETFQB19N20 / FQI19N20200V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 19.4A, 200V, RDS(on) = 0.15 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 31 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 30 pF)This advanced technology has been espec

 6.2. Size:839K  fairchild semi
 fqb19n20ltm fqb19n20l fqi19n20l.pdf

FQI19N20CTU FQI19N20CTU

October 2008QFETFQB19N20L / FQI19N20L200V LOGIC N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 21A, 200V, RDS(on) = 0.14 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 27 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 30 pF)This advanced technology has been

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top