Справочник MOSFET. FQI19N20CTU

 

FQI19N20CTU Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQI19N20CTU
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 139 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 195 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm
   Тип корпуса: I2-PAK
 

 Аналог (замена) для FQI19N20CTU

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQI19N20CTU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1167K  fairchild semi
 fqb19n20ctm fqb19n20c fqi19n20c fqi19n20ctu.pdf pdf_icon

FQI19N20CTU

October 2008QFETFQB19N20C/FQI19N20C200V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 19.0A, 200V, RDS(on) = 0.17 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 40.5 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 85 pF)This advanced technology has been espec

 6.1. Size:831K  fairchild semi
 fqb19n20tm fqb19n20 fqi19n20 fqi19n20tu.pdf pdf_icon

FQI19N20CTU

October 2008QFETFQB19N20 / FQI19N20200V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 19.4A, 200V, RDS(on) = 0.15 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 31 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 30 pF)This advanced technology has been espec

 6.2. Size:839K  fairchild semi
 fqb19n20ltm fqb19n20l fqi19n20l.pdf pdf_icon

FQI19N20CTU

October 2008QFETFQB19N20L / FQI19N20L200V LOGIC N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 21A, 200V, RDS(on) = 0.14 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 27 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 30 pF)This advanced technology has been

Другие MOSFET... FQI13N06LTU , FQI13N06TU , FQI13N50CTU , FQI15P12TU , FQI16N25CTU , FQI17N08LTU , FQI17N08TU , FQI17P06TU , AON6414A , FQI19N20TU , FQI1P50TU , FQI27N25TU , FQI27P06TU , FQI2N30TU , FQI2N90TU , FQI2NA90TU , FQI2P25TU .

History: 2SK3496-01MR | SVS80R430FJDE3 | RFL1N10L

 

 
Back to Top

 


 
.