IRFZ34N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRFZ34N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 56 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 26 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 22.7 nC
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.04 Ohm
Тип корпуса: TO220AB
IRFZ34N Datasheet (PDF)
1.1. irfz34n.pdf 
Size:104K _international_rectifier
PD -9.1276C IRFZ34N HEXFET® Power MOSFET Advanced Process Technology D Ultra Low On-Resistance VDSS = 55V Dynamic dv/dt Rating 175°C Operating Temperature RDS(on) = 0.040Ω Fast Switching G Ease of Paralleling ID = 29A Description S Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance
1.2. irfz34npbf.pdf Size:179K _international_rectifier
PD - 94807 IRFZ34NPbF HEXFET® Power MOSFET Advanced Process Technology D Ultra Low On-Resistance VDSS = 55V Dynamic dv/dt Rating 175°C Operating Temperature RDS(on) = 0.040Ω Fast Switching G Ease of Paralleling ID = 29A Lead-Free S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible o
1.3. irfz34nlpbf irfz34nspbf.pdf Size:296K _international_rectifier
PD - 95571 IRFZ34NSPbF IRFZ34NLPbF l Advanced Process Technology HEXFET® Power MOSFET l Surface Mount (IRFZ34NS) l Low-profile through-hole (IRFZ34NL) D VDSS = 55V l 175°C Operating Temperature l Fast Switching RDS(on) = 0.040Ω l Fully Avalanche Rated G l Lead-Free ID = 29A Description S Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing tech
1.4. irfz34ns.pdf Size:161K _international_rectifier
PD - 9.1311A IRFZ34NS/L HEXFET® Power MOSFET Advanced Process Technology D VDSS = 55V Surface Mount (IRFZ34NS) Low-profile through-hole (IRFZ34NL) 175°C Operating Temperature RDS(on) = 0.040Ω Fast Switching G Fully Avalanche Rated ID = 29A S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely lo
Другие MOSFET... IRFZ24NL , IRFZ24NS , IRFZ25 , IRFZ30 , IRFZ32 , IRFZ34 , IRFZ34A , IRFZ34E , APT50M38JLL , IRFZ34NL , IRFZ34NS , IRFZ35 , IRFZ40 , IRFZ40FI , IRFZ42 , IRFZ44 , IRFZ44A .
