IRF6601 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRF6601
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 30 nC
trⓘ - Время нарастания: 21 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 2430 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0038 Ohm
Тип корпуса: DIRECTFET
IRF6601 Datasheet (PDF)
irf6601.pdf
PD - 94366FIRF6601/IRF6601TR1HEXFET Power MOSFETVDSS RDS(on) maxQgl Application Specific MOSFETsl Ideal for CPU Core DC-DC Converters20V 3.8m@VGS = 10V 30nCl Low Conduction Losses5.0m@VGS = 4.5Vl Low Switching Lossesl Low Profile (
irf6608.pdf
PD - 94727BIRF6608HEXFET Power MOSFETl Application Specific MOSFETsVDSS RDS(on) maxQgl Ideal for CPU Core DC-DC Convertersl Low Conduction Losses30V 9.0m@VGS = 10V 16nCl Low Switching Losses11m@VGS = 4.5Vl Low Profile (
irf6602.pdf
PD - 94363CIRF6602/IRF6602TR1HEXFET Power MOSFETVDSS RDS(on) maxQgl Application Specific MOSFETs20V 13m@VGS = 10V 12nCl Ideal for CPU Core DC-DC Converters19m@VGS = 4.5Vl Low Conduction Lossesl Low Switching Lossesl Low Profile (
irf6603.pdf
PD - 94364APROVISIONALIRF6603DirectFETTM Power MOSFET Application Specific MOSFETsVDSS RDS(on) max ID Ideal for CPU Core DC-DC Converters30V 3.9m@VGS = 10V 28A Low Conduction Losses5.5m@VGS = 4.5V 22A High Cdv/dt Immunity Low Profile (
irf6607.pdf
PD - 94574IRF6607HEXFET Power MOSFETVDSS RDS(on) maxQgl Application Specific MOSFETsl Ideal for CPU Core DC-DC Converters30V 3.3m@VGS = 10V 50nCl Low Conduction Losses4.4m@VGS = 4.5Vl High Cdv/dt Immunityl Low Profile (
irf6609.pdf
PD - 95822IRF6609HEXFET Power MOSFETVDSS RDS(on) maxQgl Low Conduction Losses20V 2.0m@VGS = 10V 46nCl Low Switching Losses2.6m@VGS = 4.5Vl Ideal Synchronous Rectifier MOSFETl Low Profile (
irf6604.pdf
PD - 94365PROVISIONALIRF6604DirectFETTM Power MOSFET Application Specific MOSFETsVDSS RDS(on) max ID Ideal for CPU Core DC-DC Converters30V 11.5m@VGS = 7.0V 16A Low Conduction Losses13m@VGS = 4.5V 14A Low Switching Losses Low Profile (
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
