Справочник MOSFET. SD202DC

 

SD202DC Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SD202DC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 40 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.05 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 50 Ohm
   Тип корпуса: TO-52
 

 Аналог (замена) для SD202DC

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SD202DC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:26K  calogic
sd200dc sd201dc sd202dc sd203dc sstsd201 sstsd203.pdfpdf_icon

SD202DC

High-Speed AnalogN-Channel Enhancement-ModeLLCDMOS FETSSD200 / SD201 / SD202 / SD203 / SSTSD201 / SSTSD203FEATURES DESCRIPTION High gain . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8.0 dB min @ 1 GHz The SD200 series is manufactured utilizing Calogics Low Noise. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.0 dB max @ 1 GHz proprietary DMOS design and processing techniques

 9.1. Size:91K  sanyo
2sd2028.pdfpdf_icon

SD202DC

Ordering number:EN2803NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor2SD2028Low-Frequency Power Amplifier ApplicationsFeatures Package Dimensions With Zener diode (11 3V) between collector andunit:mmbase.2018B Large current capacity.[2SD2028] Low collector-to-emitter saturation voltage.0.4 Ultrasmall-sized package permitting the 2SD2028- 0.163applied sets to

 9.2. Size:371K  samsung
ssd2021.pdfpdf_icon

SD202DC

I I I I 8 SOICFEATURES8S1 1 D1G1 2 7 D13 6S2 D2 Lower RDS(ON)5G2 4 D2 Improved Inductive Ruggedness Top View Fast Swtching TimesD1 D1 Low Input Capacitance Extended Safe Operating Area Improved High Temperature ReliabilityG1Product SummaryPart Number BVdss Rds(on) IDS1SSD2021 30V 0.05 5.0AN -Channel MOSFETAbsolute Maximum

 9.3. Size:363K  samsung
ssd2025.pdfpdf_icon

SD202DC

I I I I 8 SOICFEATURES8S1 1 D1G1 2 7 D13 6S2 D2 Lower RDS(ON)5G2 4 D2 Improved Inductive Ruggedness Top View Fast Swtching TimesD1 D1 Low Input Capacitance Extended Safe Operating Area Improved High Temperature ReliabilityG1Product SummaryPart Number BVdss Rds(on) IDS1SSD2025 60V 0.10 3.3AN -Channel MOSFETAbsolute Maximum

Другие MOSFET... IRF7342QPBF , IRF7343IPBF , IRF7343QPBF , IRF734PBF , IRF7351PBF , SD10425 , SD200DC , SD201DC , 2N7000 , SD203DC , SD210 , SD2100 , SD210DE , SD212 , SD212DE , SD214 , SD214DE .

History: 30N20A | SFF75N10 | GKI04048 | IRLR024ZPBF | SEF40604 | SIHD4N80E | SSF7509B

 

 
Back to Top

 


 
.