IRL1004L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRL1004L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1(min) V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 100(max) nC
tr ⓘ - Время нарастания: 210 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1480 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
Тип корпуса: TO262
Аналог (замена) для IRL1004L
IRL1004L Datasheet (PDF)
irl1004lpbf irl1004spbf.pdf

PD - 95575IRL1004SPbFIRL1004LPbFl Logic-Level Gate DriveHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Ultra Low On-ResistanceDl Dynamic dv/dt RatingVDSS = 40Vl 175C Operating Temperaturel Fast SwitchingRDS(on) = 0.0065l Fully Avalanche RatedGl Lead-FreeID = 130ADescriptionSFifth Generation HEXFET power MOSFETs fromInternational Rectifier u
irl1004s irl1004l.pdf

PD - 91644AIRL1004S IRL1004L Logic-Level Gate DriveHEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance DVDSS = 40V Dynamic dv/dt Rating 175C Operating Temperature Fast Switching RDS(on) = 0.0065G Fully Avalanche RatedDescriptionID = 130A SFifth Generation HEXFET power MOSFETs fromInternational Rectifier utilize advanced processing
irl1004.pdf

PD - 91702BIRL1004HEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate DriveD Advanced Process Technology VDSS = 40V Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt RatingRDS(on) = 0.0065 175C Operating TemperatureG Fast SwitchingID = 130A Fully Avalanche RatedSDescriptionFifth Generation HEXFET power MOSFETs fromInternational Rectifier utilize advanced processing techniques
irl1004pbf.pdf

PD - 95403IRL1004PbFHEXFET Power MOSFETl Logic-Level Gate Drivel Advanced Process TechnologyDVDSS = 40Vl Ultra Low On-Resistancel Dynamic dv/dt Ratingl 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.0065l Fast Switching Gl Fully Avalanche RatedID = 130Al Lead-FreeSDescriptionFifth Generation HEXFET power MOSFETs fromInternational Rectifier utilize advanced
Другие MOSFET... IRFZ45 , IRFZ46N , IRFZ46NL , IRFZ46NS , IRFZ48N , IRFZ48NL , IRFZ48NS , IRL1004 , IRFZ44 , IRL1004S , IRL2203N , IRL2203NL , IRL2203NS , IRL2505 , IRL2505L , IRL2505S , IRL2703 .
History: IRL2203N
History: IRL2203N



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH1008PK | JMSH1008PGQ | JMSH1008PG | JMSH1008PE | JMSH1008PC | JMSH1008AKQ | JMSH1008AGQ | JMSH1008AG | JMSH1008AE | JMSH1008AC | JMSH0606PU | JMSH0606PK | JMSH0606PGQ | JMSH0606PGDQ | JMSH0606PGD | JMSH0606PG
Popular searches
2sa679 | 2sc3181 | 2sb324 | 2sc1904 | 2sc281 | m28s transistor | 2n3640 | tta1943 transistor