Справочник MOSFET. IRL1004L

 

IRL1004L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRL1004L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1(min) V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 100(max) nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 210 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1480 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: TO262
 

 Аналог (замена) для IRL1004L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRL1004L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:210K  international rectifier
irl1004lpbf irl1004spbf.pdfpdf_icon

IRL1004L

PD - 95575IRL1004SPbFIRL1004LPbFl Logic-Level Gate DriveHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Ultra Low On-ResistanceDl Dynamic dv/dt RatingVDSS = 40Vl 175C Operating Temperaturel Fast SwitchingRDS(on) = 0.0065l Fully Avalanche RatedGl Lead-FreeID = 130ADescriptionSFifth Generation HEXFET power MOSFETs fromInternational Rectifier u

 ..2. Size:123K  international rectifier
irl1004s irl1004l.pdfpdf_icon

IRL1004L

PD - 91644AIRL1004S IRL1004L Logic-Level Gate DriveHEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance DVDSS = 40V Dynamic dv/dt Rating 175C Operating Temperature Fast Switching RDS(on) = 0.0065G Fully Avalanche RatedDescriptionID = 130A SFifth Generation HEXFET power MOSFETs fromInternational Rectifier utilize advanced processing

 7.1. Size:89K  international rectifier
irl1004.pdfpdf_icon

IRL1004L

PD - 91702BIRL1004HEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate DriveD Advanced Process Technology VDSS = 40V Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt RatingRDS(on) = 0.0065 175C Operating TemperatureG Fast SwitchingID = 130A Fully Avalanche RatedSDescriptionFifth Generation HEXFET power MOSFETs fromInternational Rectifier utilize advanced processing techniques

 7.2. Size:159K  international rectifier
irl1004pbf.pdfpdf_icon

IRL1004L

PD - 95403IRL1004PbFHEXFET Power MOSFETl Logic-Level Gate Drivel Advanced Process TechnologyDVDSS = 40Vl Ultra Low On-Resistancel Dynamic dv/dt Ratingl 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.0065l Fast Switching Gl Fully Avalanche RatedID = 130Al Lead-FreeSDescriptionFifth Generation HEXFET power MOSFETs fromInternational Rectifier utilize advanced

Другие MOSFET... IRFZ45 , IRFZ46N , IRFZ46NL , IRFZ46NS , IRFZ48N , IRFZ48NL , IRFZ48NS , IRL1004 , IRFZ44 , IRL1004S , IRL2203N , IRL2203NL , IRL2203NS , IRL2505 , IRL2505L , IRL2505S , IRL2703 .

History: IRL2203N

 

 
Back to Top

 


 
.