Справочник MOSFET. IRL3502S

 

IRL3502S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRL3502S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 140 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 10 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 0.7(min) V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 110 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 110(max) nC
   Время нарастания (tr): 140 ns
   Выходная емкость (Cd): 1900 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.007 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для IRL3502S

 

 

IRL3502S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:242K  international rectifier
 irl3502spbf.pdf

IRL3502S IRL3502S

IRL3502SPbF l Dl l l l Gl Description S

 ..2. Size:128K  international rectifier
 irl3502s.pdf

IRL3502S IRL3502S

PD -9.1676AIRL3502SPRELIMINARYHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Surface MountVDSS = 20V Optimized for 4.5V-7.0V Gate Drive Ideal for CPU Core DC-DC ConvertersRDS(on) = 0.007W Fast SwitchingGID = 110A Description SThese HEXFET Power MOSFETs were designedspecifically to meet the demands of CPU core DC-DCconverters in the PC environment. Advanced

 7.1. Size:76K  international rectifier
 irl3502.pdf

IRL3502S IRL3502S

PD 9.1698AIRL3502PRELIMINARYHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Optimized for 4.5V-7.0V Gate DriveVDSS = 20V Ideal for CPU Core DC-DC Converters Fast SwitchingRDS(on) = 0.007GID = 110A DescriptionSThese HEXFET Power MOSFETs were designedspecifically to meet the demands of CPU core DC-DCconverters. Advanced processing techniquescombined with

 7.2. Size:176K  international rectifier
 irl3502pbf.pdf

IRL3502S IRL3502S

PD - 94879IRL3502PbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process TechnologyDl Optimized for 4.5V-7.0V Gate DriveVDSS = 20Vl Ideal for CPU Core DC-DC Convertersl Fast SwitchingRDS(on) = 0.007l Lead-FreeGID = 110ADescriptionSThese HEXFET Power MOSFETs were designedspecifically to meet the demands of CPU core DC-DCconverters in the PC environment. Advancedproce

Другие MOSFET... IRL3302 , IRL3302S , IRL3303 , IRL3303L , IRL3303S , IRL3402 , IRL3402S , IRL3502 , IRF4905 , IRL3705N , IRL3705NL , IRL3705NS , IRL3803 , IRL3803L , IRL3803S , IRL510 , IRL510A .

 

 
Back to Top