SIHF510S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SIHF510S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 81 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.54 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для SIHF510S
SIHF510S Datasheet (PDF)
irf510strlpbf irf510strrpbf sihf510s.pdf
IRF510S, SiHF510SVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) 100 Surface MountRDS(on) ()VGS = 10 V 0.54 Available in Tape and Reel Qg (Max.) (nC) 8.3 Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche RatedQgs (nC) 2.3 175 C Operating TemperatureQgd (nC) 3.8 Fast Switching Ea
irf510s sihf510s.pdf
IRF510S, SiHF510Swww.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESD Surface-mount Available in tape and reel D2PAK (TO-263) Dynamic dv/dt ratingAvailable Repetitive avalanche ratedG 175 C operating temperatureAvailable Fast switching Ease of parallelingDG Material categorization: for definitions of complianceSSplease see www.
irf510pbf sihf510.pdf
IRF510, SiHF510Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 100Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.54RoHS* 175 C Operating TemperatureCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 8.3 Fast SwitchingQgs (nC) 2.3 Ease of ParallelingQgd (nC) 3.8 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compli
irf510 sihf510.pdf
IRF510, SiHF510www.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt ratingVDS (V) 100Available Repetitive avalanche ratedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.54 175 C operating temperatureAvailableQg max. (nC) 8.3 Fast switchingQgs (nC) 2.3 Ease of parallelingQgd (nC) 3.8 Simple drive requirementsConfiguration Single
Другие MOSFET... IRF7580M , IRF7601PBF , IRF7603PBF , SIHF22N65E , SIHF23N60E , SIHF28N60EF , SIHF30N60E , SIHF510 , IRFP260N , SIHF520 , SIHF520S , SIHF530 , SIHF530S , SIHF540 , SIHF540S , SIHF5N50D , SIHF610 .
History: SIHF5N50D | SIHFBC40AS | IRF7603PBF
History: SIHF5N50D | SIHFBC40AS | IRF7603PBF
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20P30S | AP20N100Q | AP20N06T | AP2080Q | AP2080KA | AP2055K | AP2045KD | AP2035Q | AP2035G | AP2022S | AP2012S | AP2012 | AP200N04D | AP200N04 | AP2003 | AP18P30Q
Popular searches
2n2222a transistor equivalent | 2sc2509 | 2n1815 | 2sa1103 | 2sb435 | 2sc1096 | 2sc2058 | a1693 datasheet






