SIHF510S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIHF510S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 81 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.54 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для SIHF510S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHF510S даташит

 ..1. Size:196K  vishay
 irf510strlpbf irf510strrpbf sihf510s.pdf pdf_icon

SIHF510S

IRF510S, SiHF510S Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition VDS (V) 100 Surface Mount RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.54 Available in Tape and Reel Qg (Max.) (nC) 8.3 Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated Qgs (nC) 2.3 175 C Operating Temperature Qgd (nC) 3.8 Fast Switching Ea

 ..2. Size:210K  vishay
 irf510s sihf510s.pdf pdf_icon

SIHF510S

IRF510S, SiHF510S www.vishay.com Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES D Surface-mount Available in tape and reel D2PAK (TO-263) Dynamic dv/dt rating Available Repetitive avalanche rated G 175 C operating temperature Available Fast switching Ease of paralleling D G Material categorization for definitions of compliance S S please see www.

 7.1. Size:201K  vishay
 irf510pbf sihf510.pdf pdf_icon

SIHF510S

IRF510, SiHF510 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 100 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.54 RoHS* 175 C Operating Temperature COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 8.3 Fast Switching Qgs (nC) 2.3 Ease of Paralleling Qgd (nC) 3.8 Simple Drive Requirements Configuration Single Compli

 7.2. Size:279K  vishay
 irf510 sihf510.pdf pdf_icon

SIHF510S

IRF510, SiHF510 www.vishay.com Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt rating VDS (V) 100 Available Repetitive avalanche rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.54 175 C operating temperature Available Qg max. (nC) 8.3 Fast switching Qgs (nC) 2.3 Ease of paralleling Qgd (nC) 3.8 Simple drive requirements Configuration Single

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRF7580M, IRF7601PBF, IRF7603PBF, SIHF22N65E, SIHF23N60E, SIHF28N60EF, SIHF30N60E, SIHF510, IRFP260N, SIHF520, SIHF520S, SIHF530, SIHF530S, SIHF540, SIHF540S, SIHF5N50D, SIHF610