SIHFB13N50A datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: SIHFB13N50A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm
Тип корпуса: TO-220AB
Аналог (замена) для SIHFB13N50A
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SIHFB13N50A даташит
irfb13n50a sihfb13n50a.pdf
IRFB13N50A, SiHFB13N50A Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Lower Gate Charge Qg Results in Simpler Drive VDS (V) 500 Reqirements Available RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.450 RoHS* Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Qg (Max.) (nC) 81 COMPLIANT Ruggedness Qgs (nC) 20 Qgd (nC) 36 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage Configuratio
irfb13n50a irfb13n50apbf sihfb13n50a.pdf
IRFB13N50A, SiHFB13N50A Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Lower Gate Charge Qg Results in Simpler Drive VDS (V) 500 Reqirements Available RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.450 RoHS* Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Qg (Max.) (nC) 81 COMPLIANT Ruggedness Qgs (nC) 20 Qgd (nC) 36 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage Configuratio
irfb13n50a sihfb13n50a.pdf
IRFB13N50A, SiHFB13N50A Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Lower Gate Charge Qg Results in Simpler Drive VDS (V) 500 Available Reqirements RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.450 RoHS* Qg (Max.) (nC) 81 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt COMPLIANT Qgs (nC) 20 Ruggedness Qgd (nC) 36 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage Configuration
irfb17n50l irfb17n50lpbf sihfb17n50l.pdf
IRFB17N50L, SiHFB17N50L Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg results in Simple Drive VDS (V) 500 Requirement Available RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.28 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt RoHS* Qg (Max.) (nC) 130 COMPLIANT Ruggedness Qgs (nC) 33 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage Qgd (nC) 59 and Current Co
Другие IGBT... SIHF9Z22, SIHF9Z24, SIHF9Z24L, SIHF9Z24S, SIHF9Z30, SIHF9Z34, SIHF9Z34L, SIHF9Z34S, IRFB4110, SIHFB17N50L, SIHFB9N60A, SIHFB9N65A, SIHFBC20, SIHFBC20L, SIHFBC20S, SIHFBC30, SIHFBC30A
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASDM7002EZA | ASDM68N80KQ | ASDM6802ZC | ASDM60R042NQ | ASDM60P12KQ | ASDM60N80KQ | ASDM60N70Q | ASDM60N50KQ | ASDM60N45KQ | ASDM60N30KQ | ASDM540G | ASDM4976S | ASDM4606S | ASDM40R009NQ | ASDM40N80KQ | ASDM40N60KQ
Popular searches
irf5210 | mj15024 | 2n2219 | tip42c | 2sc2240 | bc547 transistor equivalent | 2sa1943 | tip41c datasheet







