SIHFB13N50A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIHFB13N50A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для SIHFB13N50A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHFB13N50A даташит

 ..1. Size:201K  vishay
irfb13n50a sihfb13n50a.pdfpdf_icon

SIHFB13N50A

IRFB13N50A, SiHFB13N50A Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Lower Gate Charge Qg Results in Simpler Drive VDS (V) 500 Reqirements Available RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.450 RoHS* Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Qg (Max.) (nC) 81 COMPLIANT Ruggedness Qgs (nC) 20 Qgd (nC) 36 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage Configuratio

 ..2. Size:201K  vishay
irfb13n50a irfb13n50apbf sihfb13n50a.pdfpdf_icon

SIHFB13N50A

IRFB13N50A, SiHFB13N50A Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Lower Gate Charge Qg Results in Simpler Drive VDS (V) 500 Reqirements Available RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.450 RoHS* Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Qg (Max.) (nC) 81 COMPLIANT Ruggedness Qgs (nC) 20 Qgd (nC) 36 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage Configuratio

 ..3. Size:156K  infineon
irfb13n50a sihfb13n50a.pdfpdf_icon

SIHFB13N50A

IRFB13N50A, SiHFB13N50A Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Lower Gate Charge Qg Results in Simpler Drive VDS (V) 500 Available Reqirements RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.450 RoHS* Qg (Max.) (nC) 81 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt COMPLIANT Qgs (nC) 20 Ruggedness Qgd (nC) 36 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage Configuration

 8.1. Size:211K  vishay
irfb17n50l irfb17n50lpbf sihfb17n50l.pdfpdf_icon

SIHFB13N50A

IRFB17N50L, SiHFB17N50L Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg results in Simple Drive VDS (V) 500 Requirement Available RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.28 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt RoHS* Qg (Max.) (nC) 130 COMPLIANT Ruggedness Qgs (nC) 33 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage Qgd (nC) 59 and Current Co

Другие IGBT... SIHF9Z22, SIHF9Z24, SIHF9Z24L, SIHF9Z24S, SIHF9Z30, SIHF9Z34, SIHF9Z34L, SIHF9Z34S, IRFB4110, SIHFB17N50L, SIHFB9N60A, SIHFB9N65A, SIHFBC20, SIHFBC20L, SIHFBC20S, SIHFBC30, SIHFBC30A