SIHFBC30 - аналоги и даташиты транзистора

 

SIHFBC30 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SIHFBC30
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 86 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для SIHFBC30

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHFBC30 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1805K  vishay
 irfbc30 sihfbc30.pdf pdf_icon

SIHFBC30

IRFBC30, SiHFBC30Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 600 Repetitive Avalanche Rated AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 2.2 Fast SwitchingRoHS*Qg (Max.) (nC) 31COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 4.6 Simple Drive RequirementsQgd (nC) 17 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECConfiguration SingleD DE

 ..2. Size:1808K  vishay
 irfbc30pbf sihfbc30.pdf pdf_icon

SIHFBC30

IRFBC30, SiHFBC30Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 600 Repetitive Avalanche Rated AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 2.2 Fast SwitchingRoHS*Qg (Max.) (nC) 31COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 4.6 Simple Drive RequirementsQgd (nC) 17 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECConfiguration SingleD DE

 ..3. Size:1757K  infineon
 irfbc30 sihfbc30.pdf pdf_icon

SIHFBC30

IRFBC30, SiHFBC30Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 600 Repetitive Avalanche Rated AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 2.2 Fast SwitchingRoHS*Qg (Max.) (nC) 31COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 4.6 Simple Drive RequirementsQgd (nC) 17 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECConfiguration SingleD DE

 0.1. Size:216K  vishay
 irfbc30apbf sihfbc30a.pdf pdf_icon

SIHFBC30

IRFBC30A, SiHFBC30AVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 600AvailableRequirementRDS(on) ()VGS = 10 V 2.2RoHS* Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtQg (Max.) (nC) 23COMPLIANTRuggednessQgs (nC) 5.4 Fully Characterized Capacitance and Avalanche VoltageQgd (nC) 11and CurrentConfigur

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SIHF9Z34S , SIHFB13N50A , SIHFB17N50L , SIHFB9N60A , SIHFB9N65A , SIHFBC20 , SIHFBC20L , SIHFBC20S , AON6414A , SIHFBC30A , SIHFBC30AL , SIHFBC30AS , SIHFBC30L , SIHFBC30S , SIHFBC40 , SIHFBC40A , SIHFBC40AS .

 

 
Back to Top

 


 
.