SIHFBE30 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIHFBE30

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для SIHFBE30

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHFBE30 даташит

 ..1. Size:1517K  vishay
 irfbe30 sihfbe30.pdf pdf_icon

SIHFBE30

IRFBE30, SiHFBE30 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 800 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 3.0 RoHS* Fast Switching Qg (Max.) (nC) 78 COMPLIANT Ease of Paralleling Qgs (nC) 9.6 Qgd (nC) 45 Simple Drive Requirements Configuration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D

 ..2. Size:1520K  vishay
 sihfbe30.pdf pdf_icon

SIHFBE30

IRFBE30, SiHFBE30 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 800 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 3.0 RoHS* Fast Switching Qg (Max.) (nC) 78 COMPLIANT Ease of Paralleling Qgs (nC) 9.6 Qgd (nC) 45 Simple Drive Requirements Configuration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D

 ..3. Size:1469K  infineon
 irfbe30 sihfbe30.pdf pdf_icon

SIHFBE30

IRFBE30, SiHFBE30 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 800 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 3.0 RoHS* Fast Switching Qg (Max.) (nC) 78 COMPLIANT Ease of Paralleling Qgs (nC) 9.6 Qgd (nC) 45 Simple Drive Requirements Configuration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D

 0.1. Size:448K  vishay
 irfbe30s sihfbe30s irfbe30l sihfbe30l.pdf pdf_icon

SIHFBE30

IRFBE30S, SiHFBE30S, IRFBE30L, SiHFBE30L Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 800 Definition RDS(on) ( )VGS = 10 V 3.0 Dynamic dV/dt Rating Qg (Max.) (nC) 78 Repetitive Avalanche Rated Qgs (nC) 9.6 Fast Switching Qgd (nC) 45 Ease of Paralleling Configuration Single Simple Drive Requirem

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SIHFBC30S, SIHFBC40, SIHFBC40A, SIHFBC40AS, SIHFBC40L, SIHFBC40LC, SIHFBC40S, SIHFBE20, IRF9540N, SIHFBE30L, SIHFBE30S, SIHFBF20, SIHFBF20L, SIHFBF20S, SIHFBF30, SIHFBF30S, SIHFBG20