Справочник MOSFET. SIHFBE30

 

SIHFBE30 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SIHFBE30
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 78 nC
   trⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB

 Аналог (замена) для SIHFBE30

 

 

SIHFBE30 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1517K  vishay
 irfbe30 sihfbe30.pdf

SIHFBE30 SIHFBE30

IRFBE30, SiHFBE30Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 800Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 3.0RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 78COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 9.6Qgd (nC) 45 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECD

 ..2. Size:1520K  vishay
 sihfbe30.pdf

SIHFBE30 SIHFBE30

IRFBE30, SiHFBE30Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 800Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 3.0RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 78COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 9.6Qgd (nC) 45 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECD

 ..3. Size:1469K  infineon
 irfbe30 sihfbe30.pdf

SIHFBE30 SIHFBE30

IRFBE30, SiHFBE30Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 800Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 3.0RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 78COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 9.6Qgd (nC) 45 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECD

 0.1. Size:448K  vishay
 irfbe30s sihfbe30s irfbe30l sihfbe30l.pdf

SIHFBE30 SIHFBE30

IRFBE30S, SiHFBE30S, IRFBE30L, SiHFBE30LVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 800DefinitionRDS(on) ()VGS = 10 V 3.0 Dynamic dV/dt RatingQg (Max.) (nC) 78 Repetitive Avalanche RatedQgs (nC) 9.6 Fast SwitchingQgd (nC) 45 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple Drive Requirem

 0.2. Size:473K  vishay
 sihfbe30l sihfbe30s.pdf

SIHFBE30 SIHFBE30

IRFBE30S, SiHFBE30S, IRFBE30L, SiHFBE30LVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 800DefinitionRDS(on) ()VGS = 10 V 3.0 Dynamic dV/dt RatingQg (Max.) (nC) 78 Repetitive Avalanche RatedQgs (nC) 9.6 Fast SwitchingQgd (nC) 45 Ease of ParallelingConfiguration Single Simple Drive Requirem

 8.1. Size:1072K  vishay
 irfbe20pbf sihfbe20.pdf

SIHFBE30 SIHFBE30

IRFBE20, SiHFBE20Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 800Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 6.5RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 38COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 5.0Qgd (nC) 21 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECD

 8.2. Size:1069K  vishay
 irfbe20 sihfbe20.pdf

SIHFBE30 SIHFBE30

IRFBE20, SiHFBE20Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 800Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 6.5RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 38COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 5.0Qgd (nC) 21 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECD

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top