Справочник MOSFET. SIHFBF30

 

SIHFBF30 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIHFBF30
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.7 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для SIHFBF30

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHFBF30 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1073K  vishay
 irfbf30pbf sihfbf30.pdf pdf_icon

SIHFBF30

IRFBF30, SiHFBF30Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 900Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 3.7RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 78COMPLIANTQgs (nC) 10 Ease of ParallelingQgd (nC) 42 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDD

 ..2. Size:1070K  vishay
 irfbf30 sihfbf30.pdf pdf_icon

SIHFBF30

IRFBF30, SiHFBF30Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 900Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 3.7RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 78COMPLIANTQgs (nC) 10 Ease of ParallelingQgd (nC) 42 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDD

 0.1. Size:264K  vishay
 sihfbf30s.pdf pdf_icon

SIHFBF30

IRFBF30S, SiHFBF30SVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 900DefinitionRDS(on) ()VGS = 10 V 3.7 Dynamic dV/dt RatingQg (Max.) (nC) 78 Repetitive Avalanche RatedQgs (nC) 10 Fast SwitchingQgd (nC) 42 Ease of Paralleling Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compliant to R

 8.1. Size:1055K  vishay
 irfbf20pbf sihfbf20.pdf pdf_icon

SIHFBF30

IRFBF20, SiHFBF20Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 900Available Repetitve Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 8.0RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 38COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 4.7Qgd (nC) 21 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDD

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SIHFBC40S , SIHFBE20 , SIHFBE30 , SIHFBE30L , SIHFBE30S , SIHFBF20 , SIHFBF20L , SIHFBF20S , 2SK3568 , SIHFBF30S , SIHFBG20 , SIHFBG30 , SIHFD014 , SIHFD020 , SIHFD024 , SIHFD110 , SIHFD113 .

History: SFF23N60Z | APT6013LLLG | NCEP01P40AGU | CSD16406Q3 | 2SK3112-ZJ | 25P10G | PHX27NQ11T

 

 
Back to Top

 


 
.