SIHFD020 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: SIHFD020
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
Тип корпуса: HVMDIP
Аналог (замена) для SIHFD020
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SIHFD020 даташит
irfd020 sihfd020.pdf
IRFD020, SiHFD020 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY For Automatic Insertion VDS (V) 50 Available Compact, End Stackable RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.10 RoHS* Fast Switching Qg (Max.) (nC) 24 COMPLIANT Ease of Paralleling Qgs (nC) 7.1 Excellent Temperature Stability Qgd (nC) 7.1 Configuration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
irfd020 irfd020pbf sihfd020.pdf
IRFD020, SiHFD020 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY For Automatic Insertion VDS (V) 50 Available Compact, End Stackable RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.10 RoHS* Fast Switching Qg (Max.) (nC) 24 COMPLIANT Ease of Paralleling Qgs (nC) 7.1 Excellent Temperature Stability Qgd (nC) 7.1 Configuration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
irfd024pbf sihfd024.pdf
IRFD024, SiHFD024 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 60 Available For Automatic Insertion RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.10 RoHS* End Stackable Qg (Max.) (nC) 25 COMPLIANT 175 C Operating Temperature Qgs (nC) 5.8 Qgd (nC) 11 Fast Switching Configuration Single Ease of Paralleling Simple Drive Requiremen
irfd024 sihfd024.pdf
IRFD024, SiHFD024 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 60 Available For Automatic Insertion RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.10 RoHS* End Stackable Qg (Max.) (nC) 25 COMPLIANT 175 C Operating Temperature Qgs (nC) 5.8 Qgd (nC) 11 Fast Switching Configuration Single Ease of Paralleling Simple Drive Requiremen
Другие IGBT... SIHFBF20, SIHFBF20L, SIHFBF20S, SIHFBF30, SIHFBF30S, SIHFBG20, SIHFBG30, SIHFD014, AON7410, SIHFD024, SIHFD110, SIHFD113, SIHFD120, SIHFD210, SIHFD214, SIHFD220, SIHFD224
History: NCEP25N10AG | RJK1211DNS | RJK1055DPB
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASDM7002EZA | ASDM68N80KQ | ASDM6802ZC | ASDM60R042NQ | ASDM60P12KQ | ASDM60N80KQ | ASDM60N70Q | ASDM60N50KQ | ASDM60N45KQ | ASDM60N30KQ | ASDM540G | ASDM4976S | ASDM4606S | ASDM40R009NQ | ASDM40N80KQ | ASDM40N60KQ
Popular searches
irf740 datasheet | ksa992 | irfb4227 | irfb4110 | tip36c | bd139 transistor | irf840 datasheet | ge10001






