Справочник MOSFET. SIHFI820G

 

SIHFI820G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIHFI820G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 92 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: TO-220FP
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHFI820G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1793K  vishay
 irfi820g sihfi820g.pdf pdf_icon

SIHFI820G

IRFI820G, SiHFI820GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 500 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s,AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 3.0f = 60 Hz)RoHS*Qg (Max.) (nC) 24COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 3.3 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 13 Low Thermal ResistanceConfiguration Si

 ..2. Size:1783K  vishay
 irfi820gpbf sihfi820g.pdf pdf_icon

SIHFI820G

IRFI820G, SiHFI820GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 500 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s,AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 3.0f = 60 Hz)RoHS*Qg (Max.) (nC) 24COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 3.3 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 13 Low Thermal ResistanceConfiguration Si

 8.1. Size:1651K  vishay
 irfi840glcpbf sihfi840glc.pdf pdf_icon

SIHFI820G

IRFI840GLC, SiHFI840GLCVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Ultra Low Gate ChargeVDS (V) 500 Reduced Gate Drive RequirementAvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.85 Enhanced 30 V VGS RatingRoHS*Qg (Max.) (nC) 39COMPLIANT Isolated PackageQgs (nC) 10 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; f = 60 Hz)Qgd (nC) 19 Sink to Lead Cr

 8.2. Size:2786K  vishay
 sihfi840g.pdf pdf_icon

SIHFI820G

IRFI840G, SiHFI840GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 500Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s,RDS(on) ()VGS = 10 V 0.85f = 60 Hz)RoHS*COMPLIANTQg (Max.) (nC) 67 Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 10 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 34 Low Thermal ResistanceConfiguration Si

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: RU20N65P

 

 
Back to Top

 


 
.