IRF7663PBF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRF7663PBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 615 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: MICRO8

Аналог (замена) для IRF7663PBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF7663PBF даташит

 ..1. Size:145K  international rectifier
 irf7663pbf.pdf pdf_icon

IRF7663PBF

PD-95634 IRF7663PbF HEXFET Power MOSFET l Trench Technology A 1 8 l Ultra Low On-Resistance S D VDSS = -20V l P-Channel MOSFET 2 7 S D l Very Small SOIC Package 3 6 S D l Low Profile (

 7.1. Size:77K  international rectifier
 irf7663.pdf pdf_icon

IRF7663PBF

PD-91866B IRF7663 HEXFET Power MOSFET Trench Technology A 1 8 Ultra Low On-Resistance S D VDSS = -20V P-Channel MOSFET 2 7 S D Very Small SOIC Package 3 6 S D Low Profile (

 8.1. Size:244K  international rectifier
 irf7665s2tr1pbf irf7665s2trpbf.pdf pdf_icon

IRF7663PBF

PD - 96239 DIGITAL AUDIO MOSFET IRF7665S2TRPbF IRF7665S2TR1PbF Features Key Parameters Key parameters optimized for Class-D audio amplifier VDS 100 V applications RDS(on) typ. @ VGS = 10V 51 m Low RDS(on) for improved efficiency Low Qg for better THD and improved efficiency Qg typ. 8.3 nC Low Qrr for better THD and lower EMI RG(int) typ. 3.5 Low package st

 8.2. Size:247K  international rectifier
 irf7665s2pbf.pdf pdf_icon

IRF7663PBF

PD - 96239 DIGITAL AUDIO MOSFET IRF7665S2TRPbF IRF7665S2TR1PbF Features Key Parameters Key parameters optimized for Class-D audio amplifier VDS 100 V applications RDS(on) typ. @ VGS = 10V 51 m Low RDS(on) for improved efficiency Low Qg for better THD and improved efficiency Qg typ. 8.3 nC Low Qrr for better THD and lower EMI RG(int) typ. 3.5 Low package st

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SIHFP140, SIHFP150, SIHFP17N50L, SIHFP21N60L, SIHFP22N50A, SIHFP22N60K, IRF7606PBF, IRF7607PBF, IRF630, IRF7665S2TR1PBF, IRF7665S2TRPBF, IRF7704GPBF, IRF7704PBF, IRF7705GPBF, IRF7705PBF, IRF7706GPBF, IRF7706PBF