SIHFP260 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: SIHFP260
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 46 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1200 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
Тип корпуса: TO-247AC
Аналог (замена) для SIHFP260
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SIHFP260 даташит
sihfp260.pdf
IRFP260, SiHFP260 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 200 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.055 RoHS* Isolated Central Mounting Hole Qg (Max.) (nC) 230 COMPLIANT Fast Switching Qgs (nC) 42 Ease of Paralleling Qgd (nC) 110 Simple Drive Requirements Configuration Single Comp
irfp260 sihfp260.pdf
IRFP260, SiHFP260 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 200 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.055 RoHS* Isolated Central Mounting Hole Qg (Max.) (nC) 230 COMPLIANT Fast Switching Qgs (nC) 42 Ease of Paralleling Qgd (nC) 110 Simple Drive Requirements Configuration Single Comp
irfp26n60l irfp26n60lpbf sihfp26n60l.pdf
IRFP26N60L, SiHFP26N60L Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Superfast Body Diode Eliminates the Need for VDS (V) 600 Available External Diodes in ZVS Applications RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.21 RoHS* Lower Gate Charge Results in Simpler Drive Qg (Max.) (nC) 180 COMPLIANT Requirements Qgs (nC) 61 Enhanced dV/dt Capabilities Offer Improved Ruggedness
irfp264 sihfp264.pdf
IRFP264, SiHFP264 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 250 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.075 RoHS* Isolated Central Mounting Hole COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 210 Fast Switching Qgs (nC) 35 Ease of Paralleling Qgd (nC) 98 Simple Drive Requirements Configuration Single Compl
Другие IGBT... IRF820LPBF, IRF820PBF, IRF820SPBF, SIHFP23N50L, SIHFP240, SIHFP244, SIHFP250, SIHFP254, 2N7002, SIHFP264, SIHFP26N60L, SIHFP27N60K, SIHFP31N50L, SIHFP32N50K, SIHFP340, SIHFP350, SIHFP350LC
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: RM50P30DF | CRTT095N12N | CRSS028N10N | CRST030N10N | CRJQ80N65F | ASDM20N20KQ | ASDM20N100Q | ASDM12N65F | ASDM100R750PKQ | ASDM100R160NKQ | ASDM100R090NP | ASDM100R066NQ | ASDM100R045NQ | ASDM100N34KQ | ASDM100N15KQ | FTF30P35D
Popular searches
a970 | d2390 transistor | 2n5087 equivalent | tip147 datasheet | 2n4124 | mj15022 | toshiba c5198 | irf520n datasheet






