SIHFU430A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIHFU430A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 24 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.7 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для SIHFU430A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHFU430A даташит

 ..1. Size:252K  vishay
irfr430a irfr430apbf irfu430apbf sihfr430a sihfu430a.pdfpdf_icon

SIHFU430A

IRFR430A, IRFU430A, SiHFR430A, SiHFU430A www.vishay.com Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive VDS (V) 500 Requirement RDS(on) ( )VGS = 10 V 1.7 Improved Gate, Avalanche and Dynamic Qg (Max.) (nC) 24 dV/dt Ruggedness Qgs (nC) 6.5 Fully Characterized Capacitance and Qgd (nC) 13 Avalanche Voltage and Current

 ..2. Size:154K  vishay
irfr430a irfu430a sihfr430a sihfu430a.pdfpdf_icon

SIHFU430A

IRFR430A, IRFU430A, SiHFR430A, SiHFU430A Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive VDS (V) 500 Available Requirement RDS(on) ( )VGS = 10 V 1.7 RoHS* Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Qg (Max.) (nC) 24 COMPLIANT Ruggedness Qgs (nC) 6.5 Qgd (nC) 13 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage

 ..3. Size:252K  infineon
irfr430a irfu430a sihfr430a sihfu430a.pdfpdf_icon

SIHFU430A

IRFR430A, IRFU430A, SiHFR430A, SiHFU430A www.vishay.com Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive VDS (V) 500 Requirement RDS(on) ( )VGS = 10 V 1.7 Improved Gate, Avalanche and Dynamic Qg (Max.) (nC) 24 dV/dt Ruggedness Qgs (nC) 6.5 Fully Characterized Capacitance and Qgd (nC) 13 Avalanche Voltage and Current

 8.1. Size:1841K  vishay
irfr420 irfu420 sihfr420 sihfu420.pdfpdf_icon

SIHFU430A

IRFR420, IRFU420, SiHFR420, SiHFU420 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 500 Definition RDS(on) ( )VGS = 10 V 3.0 Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated Qg (Max.) (nC) 19 Surface Mount (IRFR420, SiHFR420) Qgs (nC) 3.3 Straight Lead (IRFU420, SiHFU420) Qgd (nC) 13 Available in Tap

Другие IGBT... SIHFU210, SIHFU214, SIHFU220, SIHFU224, SIHFU310, SIHFU320, SIHFU420, SIHFU420A, IRFP260N, SIHFU9010, SIHFU9012, SIHFU9014, SIHFU9020, SIHFU9022, SIHFU9024, SIHFU9110, SIHFU9120