SIHLD110 - аналоги и даташиты транзистора

 

 

SIHLD110 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SIHLD110
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.54 Ohm
   Тип корпуса: HVMDIP
 

 Аналог (замена) для SIHLD110

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

 

SIHLD110 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1624K  vishay
 sihld110.pdf pdf_icon

SIHLD110

IRLD110, SiHLD110www.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 100 Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 5.0 V 0.54 For Automatic InsertionQg (Max.) (nC) 6.1 End StackableQgs (nC) 2.6Qgd (nC) 3.3 Logic-Level Gate DriveConfiguration Single RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V 175 C

 ..2. Size:1607K  vishay
 irld110 sihld110.pdf pdf_icon

SIHLD110

IRLD110, SiHLD110Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 100Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 5.0 V 0.54RoHS* For Automatic InsertionQg (Max.) (nC) 6.1COMPLIANT End StackableQgs (nC) 2.6Qgd (nC) 3.3 Logic-Level Gate DriveConfiguration Single RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V

 8.1. Size:1675K  vishay
 irld120 sihld120.pdf pdf_icon

SIHLD110

IRLD120, SiHLD120Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 100Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 5.0 V 0.27RoHS* For Automatic InsertionCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 12 End StackableQgs (nC) 3.0 Logic-Level Gate DriveQgd (nC) 7.1 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 VConfiguration Single

 8.2. Size:1677K  vishay
 irld120pbf sihld120.pdf pdf_icon

SIHLD110

IRLD120, SiHLD120Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 100Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 5.0 V 0.27RoHS* For Automatic InsertionCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 12 End StackableQgs (nC) 3.0 Logic-Level Gate DriveQgd (nC) 7.1 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 VConfiguration Single

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SIHL620 , SIHL620S , SIHL630 , SIHL630S , SIHL640 , SIHL640S , SIHLD014 , SIHLD024 , 60N06 , SIHLD120 , SIHLI520G , SIHLI530G , SIHLI540G , SIHLI620G , SIHLI630G , SIHLI640G , SIHLIZ14G .

History: SIHL640

 

 
Back to Top

 


 
.