Справочник MOSFET. SIHLD120

 

SIHLD120 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIHLD120
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 64 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm
   Тип корпуса: HVMDIP
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHLD120 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1675K  vishay
 irld120 sihld120.pdf pdf_icon

SIHLD120

IRLD120, SiHLD120Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 100Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 5.0 V 0.27RoHS* For Automatic InsertionCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 12 End StackableQgs (nC) 3.0 Logic-Level Gate DriveQgd (nC) 7.1 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 VConfiguration Single

 ..2. Size:1677K  vishay
 irld120pbf sihld120.pdf pdf_icon

SIHLD120

IRLD120, SiHLD120Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 100Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 5.0 V 0.27RoHS* For Automatic InsertionCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 12 End StackableQgs (nC) 3.0 Logic-Level Gate DriveQgd (nC) 7.1 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 VConfiguration Single

 8.1. Size:1624K  vishay
 sihld110.pdf pdf_icon

SIHLD120

IRLD110, SiHLD110www.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 100 Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 5.0 V 0.54 For Automatic InsertionQg (Max.) (nC) 6.1 End StackableQgs (nC) 2.6Qgd (nC) 3.3 Logic-Level Gate DriveConfiguration Single RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V 175 C

 8.2. Size:1607K  vishay
 irld110 sihld110.pdf pdf_icon

SIHLD120

IRLD110, SiHLD110Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 100Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 5.0 V 0.54RoHS* For Automatic InsertionQg (Max.) (nC) 6.1COMPLIANT End StackableQgs (nC) 2.6Qgd (nC) 3.3 Logic-Level Gate DriveConfiguration Single RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: ZVP0535A

 

 
Back to Top

 


 
.