SIHLD120. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SIHLD120

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 64 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm

Тип корпуса: HVMDIP

Аналог (замена) для SIHLD120

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHLD120 даташит

 ..1. Size:1675K  vishay
 irld120 sihld120.pdf pdf_icon

SIHLD120

IRLD120, SiHLD120 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 100 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 5.0 V 0.27 RoHS* For Automatic Insertion COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 12 End Stackable Qgs (nC) 3.0 Logic-Level Gate Drive Qgd (nC) 7.1 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V Configuration Single

 ..2. Size:1677K  vishay
 irld120pbf sihld120.pdf pdf_icon

SIHLD120

IRLD120, SiHLD120 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 100 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 5.0 V 0.27 RoHS* For Automatic Insertion COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 12 End Stackable Qgs (nC) 3.0 Logic-Level Gate Drive Qgd (nC) 7.1 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V Configuration Single

 8.1. Size:1624K  vishay
 sihld110.pdf pdf_icon

SIHLD120

IRLD110, SiHLD110 www.vishay.com Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 100 Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 5.0 V 0.54 For Automatic Insertion Qg (Max.) (nC) 6.1 End Stackable Qgs (nC) 2.6 Qgd (nC) 3.3 Logic-Level Gate Drive Configuration Single RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V 175 C

 8.2. Size:1607K  vishay
 irld110 sihld110.pdf pdf_icon

SIHLD120

IRLD110, SiHLD110 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 100 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 5.0 V 0.54 RoHS* For Automatic Insertion Qg (Max.) (nC) 6.1 COMPLIANT End Stackable Qgs (nC) 2.6 Qgd (nC) 3.3 Logic-Level Gate Drive Configuration Single RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SIHL620S, SIHL630, SIHL630S, SIHL640, SIHL640S, SIHLD014, SIHLD024, SIHLD110, IRFP064N, SIHLI520G, SIHLI530G, SIHLI540G, SIHLI620G, SIHLI630G, SIHLI640G, SIHLIZ14G, SIHLIZ24G