Справочник MOSFET. SIHLD120

 

SIHLD120 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIHLD120
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 12 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 64 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm
   Тип корпуса: HVMDIP
 

 Аналог (замена) для SIHLD120

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHLD120 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1675K  vishay
 irld120 sihld120.pdf pdf_icon

SIHLD120

IRLD120, SiHLD120Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 100Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 5.0 V 0.27RoHS* For Automatic InsertionCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 12 End StackableQgs (nC) 3.0 Logic-Level Gate DriveQgd (nC) 7.1 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 VConfiguration Single

 ..2. Size:1677K  vishay
 irld120pbf sihld120.pdf pdf_icon

SIHLD120

IRLD120, SiHLD120Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 100Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 5.0 V 0.27RoHS* For Automatic InsertionCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 12 End StackableQgs (nC) 3.0 Logic-Level Gate DriveQgd (nC) 7.1 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 VConfiguration Single

 8.1. Size:1624K  vishay
 sihld110.pdf pdf_icon

SIHLD120

IRLD110, SiHLD110www.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 100 Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 5.0 V 0.54 For Automatic InsertionQg (Max.) (nC) 6.1 End StackableQgs (nC) 2.6Qgd (nC) 3.3 Logic-Level Gate DriveConfiguration Single RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V 175 C

 8.2. Size:1607K  vishay
 irld110 sihld110.pdf pdf_icon

SIHLD120

IRLD110, SiHLD110Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 100Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 5.0 V 0.54RoHS* For Automatic InsertionQg (Max.) (nC) 6.1COMPLIANT End StackableQgs (nC) 2.6Qgd (nC) 3.3 Logic-Level Gate DriveConfiguration Single RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRLU014A

 

 
Back to Top

 


 
.