Справочник MOSFET. SIHLI540G

 

SIHLI540G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIHLI540G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 170 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 560 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.077 Ohm
   Тип корпуса: TO-220FP
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHLI540G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1502K  vishay
 irli540g irli540gpbf sihli540g.pdf pdf_icon

SIHLI540G

IRLI540G, SiHLI540GVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 100 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 5 V 0.077f = 60 Hz)Qg (Max.) (nC) 64 Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQgs (nC) 9.4 Logic-Level Gate DriveQgd (nC) 27 RDS (on) Specified at VGS = 4 V and 5 V Fast SwitchingConfigur

 8.1. Size:968K  vishay
 irli520g irli520gpbf sihli520g.pdf pdf_icon

SIHLI540G

IRLI520G, SiHLI520GVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 100 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;Availablef = 60 Hz)RDS(on) ()VGS = 5 V 0.27RoHS* Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 12 Logic-Level Gate DriveQgs (nC) 3.0 RDS (on) Specified at VGS = 4 V and 5 VQgd (nC) 7.

 8.2. Size:1533K  vishay
 irli530g sihli530g.pdf pdf_icon

SIHLI540G

IRLI530G, SiHLI530GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 100Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 5.0 V 0.16f = 60 Hz)RoHS*COMPLIANT Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8 mmQg (Max.) (nC) 28 Logic-Level Gate DriveQgs (nC) 3.8 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 VQgd (nC) 14

 8.3. Size:1535K  vishay
 irli530g irli530gpbf sihli530g.pdf pdf_icon

SIHLI540G

IRLI530G, SiHLI530GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 100Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 5.0 V 0.16f = 60 Hz)RoHS*COMPLIANT Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8 mmQg (Max.) (nC) 28 Logic-Level Gate DriveQgs (nC) 3.8 RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 VQgd (nC) 14

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: FP20W60C3 | BF964S | KF5N50FR | BSC032N03SG | IPP60R090CFD7 | BLS65R165-I | SSG6680

 

 
Back to Top

 


 
.