SIHLZ24S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SIHLZ24S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для SIHLZ24S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHLZ24S даташит

 ..1. Size:308K  vishay
irlz24s irlz24l sihlz24s sihlz24l.pdfpdf_icon

SIHLZ24S

IRLZ24S, IRLZ24L, SiHLZ24S, SiHLZ24L Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition VDS (V) 60 Surface Mount RDS(on) ( )VGS = 5 V 0.10 Available in Tape and Reel Dynamic dV/dt Rating Qg (Max.) (nC) 18 Logic-Level Gate Drive Qgs (nC) 4.5 RDS (on) Specified at VGS = 4 V and 5 V Qgd (nC) 12

 ..2. Size:334K  vishay
irlz24s irlz24l irlz24spbf irlz24lpbf sihlz24l sihlz24s.pdfpdf_icon

SIHLZ24S

IRLZ24S, IRLZ24L, SiHLZ24S, SiHLZ24L Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition VDS (V) 60 Surface Mount RDS(on) ( )VGS = 5 V 0.10 Available in Tape and Reel Dynamic dV/dt Rating Qg (Max.) (nC) 18 Logic-Level Gate Drive Qgs (nC) 4.5 RDS (on) Specified at VGS = 4 V and 5 V Qgd (nC) 12

 7.1. Size:1747K  vishay
irlz24pbf irlz24 sihlz24.pdfpdf_icon

SIHLZ24S

IRLZ24, SiHLZ24 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 60 Available Logic-Level Gate Drive RDS(on) ( )VGS = 5.0 V 0.10 RoHS* RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 18 175 C Operating Temperature Qgs (nC) 4.5 Fast Switching Qgd (nC) 12 Ease of Paralleling Configuration Single

 7.2. Size:1744K  vishay
irlz24 sihlz24.pdfpdf_icon

SIHLZ24S

IRLZ24, SiHLZ24 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 60 Available Logic-Level Gate Drive RDS(on) ( )VGS = 5.0 V 0.10 RoHS* RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 18 175 C Operating Temperature Qgs (nC) 4.5 Fast Switching Qgd (nC) 12 Ease of Paralleling Configuration Single

Другие IGBT... SIHLU014, SIHLU024, SIHLU110, SIHLZ14, SIHLZ14L, SIHLZ14S, SIHLZ24, SIHLZ24L, IRFB4115, SIHLZ34, SIHLZ34L, SIHLZ34S, SIHLZ44, SIHLZ44S, SIHP10N40D, SIHP12N50C, SIHP12N50E