Справочник MOSFET. IRLIZ44G

 

IRLIZ44G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRLIZ44G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 66(max) nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 230 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для IRLIZ44G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRLIZ44G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:170K  1
irliz44g.pdfpdf_icon

IRLIZ44G

 ..2. Size:170K  international rectifier
irliz44g.pdfpdf_icon

IRLIZ44G

 ..3. Size:1182K  international rectifier
irliz44gpbf.pdfpdf_icon

IRLIZ44G

PD- 95754IRLIZ44GPbF Lead-Freewww.irf.com 18/23/04IRLIZ44GPbF2 www.irf.comIRLIZ44GPbFwww.irf.com 3IRLIZ44GPbF4 www.irf.comIRLIZ44GPbFwww.irf.com 5IRLIZ44GPbF6 www.irf.comIRLIZ44GPbFPeak Diode Recovery dv/dt Test Circuit+Circuit Layout Considerations Low Stray Inductance Ground Plane Low Leakage InductanceCurrent Transformer-+

 ..4. Size:275K  inchange semiconductor
irliz44g.pdfpdf_icon

IRLIZ44G

iscN-Channel MOSFET Transistor IRLIZ44GFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(ON) 28m @V =5VGSEnhancement mode:Vth = 1.0 to 2.0V (VDS = 10 V, ID=0.25mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER

Другие MOSFET... IRLIZ14G , IRLIZ24A , IRLIZ24G , IRLIZ24N , IRLIZ34A , IRLIZ34G , IRLIZ34N , IRLIZ44A , 2SK3878 , IRLIZ44N , IRLL014 , IRLL014N , IRLL024N , IRLL110 , IRLL2703 , IRLL2705 , IRLL3303 .

 

 
Back to Top

 


 
.