IRF8721PBF-1 - описание и поиск аналогов

 

IRF8721PBF-1 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IRF8721PBF-1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 229 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для IRF8721PBF-1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF8721PBF-1 технические параметры

 ..1. Size:207K  international rectifier
irf8721pbf-1.pdfpdf_icon

IRF8721PBF-1

IRF8721PbF-1 HEXFET Power MOSFET A VDS 30 V A 1 8 S D RDS(on) max 8.5 m 2 7 S D (@V = 10V) GS 3 6 Qg (typical) 8.3 nC S D ID 4 5 G D 14 A (@T = 25 C) A SO-8 Top View Applications l Control MOSFET of Sync-Buck Converters used for Notebook Processor Power l Control MOSFET for Isolated DC-DC Converters in Networking Systems Features Benefits Industry-standard pinou

 4.1. Size:229K  international rectifier
irf8721pbf.pdfpdf_icon

IRF8721PBF-1

PD - 97119 IRF8721PbF HEXFET Power MOSFET Applications l Control MOSFET of Sync-Buck VDSS RDS(on) max Qg Converters used for Notebook Processor 8.5m 30V @VGS = 10V 8.3nC Power l Control MOSFET for Isolated DC-DC Converters in Networking Systems A A Benefits 1 8 S D l Very Low Gate Charge 2 7 S D l Low RDS(on) at 4.5V VGS 3 6 S D l Low Gate Impedance 4 5 G D l Ful

 7.1. Size:252K  international rectifier
irf8721gpbf.pdfpdf_icon

IRF8721PBF-1

PD - 96262 IRF8721GPbF Applications HEXFET Power MOSFET l Control MOSFET of Sync-Buck VDSS RDS(on) max Qg Converters used for Notebook Processor Power 8.5m @VGS = 10V 30V 8.3nC l Control MOSFET for Isolated DC-DC Converters in Networking Systems A Benefits A 1 8 S D l Very Low Gate Charge 2 7 S D l Low RDS(on) at 4.5V VGS 3 6 l Low Gate Impedance S D 4 5 l Fully Chara

 7.2. Size:1491K  cn vbsemi
irf8721tr.pdfpdf_icon

IRF8721PBF-1

IRF8721TR www.VBsemi.tw N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.008 at VGS = 10 V 13 30 6.1 nC Optimized for High-Side Synchronous 0.011 at VGS = 4.5 V 11 Rectifier Operation 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested APPLICATIONS Notebook CPU Core - High-Side Switch

Другие MOSFET... IRF8707GPBF , IRF8707PBF , IRF8707PBF-1 , IRF8714GPBF , IRF8714PBF , IRF8714PBF-1 , IRF8721GPBF , IRF8721PBF , AOD4184A , IRF8734PBF , IRF8736PBF , IRF8736PBF-1 , IRF8788PBF , IRF8788PBF-1 , IRF8852PBF , IRF8910GPBF , IRF8910PBF-1 .

 

 
Back to Top

 


 
.