IRF9388PBF datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: IRF9388PBF 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 57 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0119 Ohm
Тип корпуса: SO-8
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для IRF9388PBF
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRF9388PBF даташит
irf9388pbf.pdf
PD - 97521 IRF9388PbF HEXFET Power MOSFET VDS -30 V VGS max 25 V RDS(on) max 11.9 m (@VGS = -10V) ID -12 A (@TA = 25 C) SO-8 Applications Adaptor Input Switch for Notebook PC Features and Benefits Resulting Benefits Features 25V VGS max Direct Drive at High VGS Industry-Standard SO8 Package Multi-Vendor Compatibility Environmentally Friendlier RoHS Compliant
irf9389pbf.pdf
IRF9389PbF HEXFET Power MOSFET N-CH P-CH N-CHANNEL MOSFET 1 8 S1 D1 VDS 30 -30 V 2 7 G1 D1 RDS(on) max 27 64 m 3 6 S2 D2 Qg (typical) 6.8 8.1 nC 4 5 G2 D2 P-CHANNEL MOSFET ID Top View SO-8 6.8 -4.6 A (@TA = 25 C) Applications l High and Low Side Switches for Inverter l High and Low Side Switches for Generic Half-Bridge Features Benefits High and low-side MOSFETs i
irf9389.pdf
IRF9389PbF HEXFET Power MOSFET N-CH P-CH N-CHANNEL MOSFET 1 8 S1 D1 VDS 30 -30 V 2 7 G1 D1 RDS(on) max 27 64 m 3 6 S2 D2 Qg (typical) 6.8 8.1 nC 4 5 G2 D2 P-CHANNEL MOSFET ID Top View SO-8 6.8 -4.6 A (@TA = 25 C) Applications l High and Low Side Switches for Inverter l High and Low Side Switches for Generic Half-Bridge Features Benefits High and low-side MOSFETs i
irf9383mpbf.pdf
IRF9383MPbF DirectFET P-Channel Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified) Applications l Isolation Switch for Input Power or Battery Application VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l High Side Switch for Inverter Applications -30V max 20V max 2.3m @-10V 3.8m @-4.5V Qg tot Qgd Qgs2 Qrr Qoss Vgs(th) Features and Benefits 67nC 29nC 9.4nC 315nC 59nC -1.8V l Environmentaly
Другие IGBT... IRF9321PBF, IRF9328PBF, IRF9332PBF, IRF9333PBF, IRF9335PBF, IRF9358PBF, IRF9362PBF, IRF9383MPBF, AO3400, IRF9389, IRF9392PBF, IRF9393PBF, IRF9395MPBF, IRF9410PBF, IRF9510SPBF, IRF9520NLPBF, IRF9520S
History: AP6G04S | MTB160N25J3 | SI6404DQ | AP10N4R5S | MTA090N02KC3 | PMZ950UPEL
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
2sc1735 | transistor 2sc5200 | 2sb560 transistor | a1273 | c3421 transistor | c644 transistor | fgpf4536 datasheet | p20nm60fp datasheet





