SSM4800AGM datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: SSM4800AGM 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
Тип корпуса: SO-8
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для SSM4800AGM
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SSM4800AGM даташит
ssm4800agm.pdf
SSM4800AGM N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet PRODUCT SUMMARY D Simple Drive Requirement BVDSS 30V D D Low On-resistance RDS(ON) 18m D Fast Switching Characteristic ID 9.4A G RoHS Compliant S S SO-8 S DESCRIPTION D The Advanced Power MOSFETs from Silicon Standard provide the designer with the best combination of fast switching, G ruggedized device design, low on
ssm4835m.pdf
SSM4835M P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Simple drive requirement BVDSS -30V D D Low on-resistance D RDS(ON) 20m D Fast switching ID -8A G S S SO-8 S Description D Power MOSFETs from Silicon Standard provide the designer with the best combination of fast switching, G ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. S The SO-8 package is widely p
ssm4880agm.pdf
SSM4880AGM N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER MOSFET Low on-resistance BVDSS 30V D D Fast switching, planar construction D RDS(ON) 9m D Simple drive requirement ID 13A G S S SO-8 S Description D Power MOSFETs from Silicon Standard provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. G G S The
ssm4816sm.pdf
SSM4816SM DUAL N-CHANNEL MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE S1/D2 Simple drive requirement MOSFET-1 BVDSS 30V S1/D2 S1/D2 Suitable for DC-DC Converters R 22m DS(ON) D1 Fast switching performance ID 6.7A G2 MOSFET-2 BV 30V S2/A DSS S2/A SO-8 R 13m G1 DS(ON) Description ID 11.5A Advanced Power MOSFETs from Silicon Standard provide D1 the designer with the best combination of fa
Другие IGBT... SSM4501GSD, SSM4502GM, SSM4507GM, SSM4509M, SSM4513M, SSM4532GM, SSM4565M, SSM4575M, 8205A, SSM4816SM, SSM4835M, SSM4880AGM, SSM4920M, SSM4924GM, SSM4953M, SSM4955GM, SSM4957M
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
bdw93c equivalent | cs7n60f | d613 transistor | fdmc8884 mosfet | k3569 mosfet equivalent | 2sa1370 | 4508nh mosfet | a94 transistor
