Справочник MOSFET. IRF9Z24SPBF

 

IRF9Z24SPBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF9Z24SPBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 68 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF9Z24SPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:193K  vishay
 irf9z24spbf sihf9z24l sihf9z24s.pdf pdf_icon

IRF9Z24SPBF

IRF9Z24S, SiHF9Z24S, IRF9Z24L, SiHF9Z24LVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) - 60 Advanced Process TechnologyRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.28 Surface Mount (IRF9Z24S, SiHF9Z24S)Qg (Max.) (nC) 19 Low-Profile Through-Hole (IRF9Z24L, SiHF9Z24L) 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 5.4

 6.1. Size:311K  international rectifier
 irf9z24s.pdf pdf_icon

IRF9Z24SPBF

PD - 9.912AIRF9Z24S/LHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Surface Mount (IRF9Z24S)VDSS = -60V Low-profile through-hole (IRF9Z24L) 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.28 Fast SwitchingG P- ChannelID = -11A Fully Avalanche RatedSDescriptionThird Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieve

 6.2. Size:167K  vishay
 irf9z24s sihf9z24s irf9z24l sihf9z24l.pdf pdf_icon

IRF9Z24SPBF

IRF9Z24S, SiHF9Z24S, IRF9Z24L, SiHF9Z24LVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) - 60 Advanced Process TechnologyRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.28 Surface Mount (IRF9Z24S, SiHF9Z24S)Qg (Max.) (nC) 19 Low-Profile Through-Hole (IRF9Z24L, SiHF9Z24L) 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 5.4

 7.1. Size:168K  international rectifier
 irf9z24ns.pdf pdf_icon

IRF9Z24SPBF

PD - 91742AIRF9Z24NS/LHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Surface Mount (IRF9Z24NS)VDSS = -55V Low-profile through-hole (IRF9Z24NL) 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.175 P-ChannelG Fast SwitchingID = -12A Fully Avalanche RatedSDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: HMS80N10KA | K2611SB | OSS70R350DF | MEE7816S | OSG80R600FF | 12P10G-TMS4-T | MS65R120C

 

 
Back to Top

 


 
.