IRF9Z34NPBF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRF9Z34NPBF  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IRF9Z34NPBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF9Z34NPBF даташит

 ..1. Size:240K  international rectifier
 irf9z34npbf.pdf pdf_icon

IRF9Z34NPBF

IRF9Z34NPbF l Advanced Process Technology l Dynamic dv/dt Rating D l 175 C Operating Temperature l Fast Switching l P-Channel l Fully Avalanche Rated G l Lead-Free Description S

 6.1. Size:108K  international rectifier
 irf9z34n.pdf pdf_icon

IRF9Z34NPBF

PD - 9.1485B IRF9Z34N HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Dynamic dv/dt Rating VDSS = -55V 175 C Operating Temperature Fast Switching RDS(on) = 0.10 P-Channel G Fully Avalanche Rated ID = -19A Description S Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon are

 6.2. Size:241K  international rectifier
 auirf9z34n.pdf pdf_icon

IRF9Z34NPBF

PD - 97627A AUTOMOTIVE GRADE AUIRF9Z34N Features HEXFET Power MOSFET l Advanced Planar Technology l P-Channel MOSFET D V(BR)DSS -55V l Dynamic dV/dT Rating l 175 C Operating Temperature RDS(on) max. 0.10 l Fast Switching G l Fully Avalanche Rated ID S -19A l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax l Lead-Free, RoHS Compliant l Automotive Qualified* D Description S

 6.3. Size:162K  international rectifier
 irf9z34ns.pdf pdf_icon

IRF9Z34NPBF

PD - 9.1525 IRF9Z34NS/L HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Surface Mount (IRF9Z34NS) VDSS = -55V Low-profile through-hole (IRF9Z34NL) 175 C Operating Temperature RDS(on) = 0.10 Fast Switching G P-Channel ID = -19A Fully Avalanche Rated S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achie

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRF9Z24NLPBF, IRF9Z24NPBF, IRF9Z24NSPBF, IRF9Z24PBF, IRF9Z24SPBF, IRF9Z30PBF, IRF9Z34L, IRF9Z34NLPBF, IRFZ24N, IRF9Z34NSPBF, IRF9Z34PBF, IRF9Z34SPBF, IRFAC30, IRFAC40, IRFAC42, IRFAE30, IRFAE40