SSM60T03GP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SSM60T03GP  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 57.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SSM60T03GP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM60T03GP даташит

 ..1. Size:385K  silicon standard
 ssm60t03gp ssm60t03gs.pdf pdf_icon

SSM60T03GP

SSM60T03GP,S N-channel Enhancement-mode Power MOSFET Low gate-charge BVDSS 30V D Simple drive requirement RDS(ON) 12m Fast switching ID 45A G Pb-free, RoHS compliant. S DESCRIPTION G The SSM60T03GS is in a TO-263 package, which is widely used for D S commercial and industrial surface-mount applications. This device is TO-263 (S) suitable for low-voltage applications such as DC

 5.1. Size:617K  silicon standard
 ssm60t03gh ssm60t03gj.pdf pdf_icon

SSM60T03GP

SSM60T03GH,J N-channel Enhancement-mode Power MOSFET PRODUCT SUMMARY DESCRIPTION The SSM60T03 acheives fast switching performance BVDSS 30V with low gate charge without a complex drive circuit. It is RDS(ON) 12m suitable for low voltage applications such as DC/DC converters and general load-switching circuits. I 45A D The SSM60T03GH is in a TO-252 package, which is Pb-free; RoHS

 6.1. Size:310K  silicon standard
 ssm60t03h ssm60t03j.pdf pdf_icon

SSM60T03GP

Другие IGBT... SSM5H10TU, SSM5H11TU, SSM5H12TU, SSM5H16TU, SSM5H90ATU, SSM5P15FE, SSM60T03GH, SSM60T03GJ, IRF540N, SSM60T03GS, SSM630GP, SSM6618M, SSM6679GM, SSM6680GM, SSM6923O, SSM6G18NU, SSM6H19NU