SSM90T03GJ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SSM90T03GJ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 83 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1010 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm

Тип корпуса: TO-251

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SSM90T03GJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM90T03GJ даташит

 ..1. Size:287K  silicon standard
 ssm90t03gh ssm90t03gj.pdf pdf_icon

SSM90T03GJ

SSM90T03GH,J N-channel Enhancement-mode Power MOSFET Low gate-charge BVDSS 30V D Simple drive requirement R 4m DS(ON) Fast switching ID 75A G Pb-free; RoHS compliant. S DESCRIPTION G The SSM90T03GH is in a TO-252 package, which is widely used for D S TO-252 (H) commercial and industrial surface mount applications, and is well suited for low voltage applications such as DC/DC

 5.1. Size:289K  silicon standard
 ssm90t03gp ssm90t03gs.pdf pdf_icon

SSM90T03GJ

SSM90T03GP,S N-channel Enhancement-mode Power MOSFET Low gate-charge BVDSS 30V D Simple drive requirement RDS(ON) 4m Fast switching I 75A D G Pb-free, RoHS compliant. S DESCRIPTION G D The SSM90T03GS is in a TO-263 package, which is widely used for S TO-263 (S) commercial and industrial surface mount applications. This device is suitable for low voltage applications such

Другие IGBT... SSM72T02GH, SSM75T10GP, SSM75T10GS, SSM7811GM, SSM85T03GH, SSM85T03GJ, SSM85T08GP, SSM90T03GH, K4145, SSM90T03GP, SSM90T03GS, SSM9406GM, SSM9408GH, SSM9410GM, SSM9435GH, SSM9435GJ, SSM9435GM