Справочник MOSFET. SSM9915GH

 

SSM9915GH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSM9915GH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 7.5 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 49.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 126 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для SSM9915GH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM9915GH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:300K  silicon standard
 ssm9915gh ssm9915gj.pdf pdf_icon

SSM9915GH

SSM9915H,JN-CHANNEL ENHANCEMENT-MODEPOWER MOSFETLow on-resistance BV 20VD DSSCapable of 2.5V gate drive R 50mDS(ON)Low drive current I 20ADGSimple drive requirementSDescriptionGPower MOSFETs from Silicon Standard provide theDSTO-252(H)designer with the best combination of fast switching,ruggedized device design, ultra low on-resistance andcost-effective

 7.1. Size:206K  silicon standard
 ssm9915k.pdf pdf_icon

SSM9915GH

SSM9915KN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFETSimple drive requirement BVDSS 20VDLower gate charge RDS(ON) 50mFast switching characteristic ID 6.2ASDSOT-223GDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from Silicon Standard provide thedesigner with the best combination of fast switching,G low on-resistance and cost-effectiveness.SAbsolute Maximum RatingsSymbol Para

 8.1. Size:301K  silicon standard
 ssm9918gh ssm9918gj.pdf pdf_icon

SSM9915GH

SSM9918H,JN-CHANNEL ENHANCEMENT-MODEPOWER MOSFETLow on-resistance BV 20VDSSDCapable of 2.5V gate drive R 14mDS(ON)Low drive current I 45ADGSurface mount packageSDescriptionGPower MOSFETs from Silicon Standard provide theDSTO-252(H)designer with the best combination of fast switching,ruggedized device design, ultra low on-resistance andcost-effectivene

 8.2. Size:297K  silicon standard
 ssm9916gh ssm9916gj.pdf pdf_icon

SSM9915GH

SSM9916H,JN-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER MOSFETLow on-resistance BV 18VD DSSCapable of 2.5V gate drive RDS(ON) 25mLow drive current ID 35AGSimple drive requirementSDescriptionGPower MOSFETs from Silicon Standard provide theDSTO-252(H)designer with the best combination of fast switching,ruggedized device design, ultra low on-resistance andcost-effectiveness

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SSM9575M , SSM9585GM , SSM9585GP , SSM95T06GP , SSM95T06GS , SSM95T07GP , SSM9620M , SSM9685M , IRFZ46N , SSM9915GJ , SSM9915K , SSM9916GH , SSM9916GJ , SSM9918GH , SSM9918GJ , SSM9922GEO , SSM9926EM .

 

 
Back to Top

 


 
.