AFC4559 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AFC4559  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm

Тип корпуса: SOP-8P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AFC4559

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFC4559 даташит

 ..1. Size:919K  alfa-mos
 afc4559.pdf pdf_icon

AFC4559

AFC4559 Alfa-MOS 60V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC4559, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology 60V/6.8A,RDS(ON)= 42m @VGS=10V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 60V/5.6A,RDS(ON)= 50m @VGS=4.5V These devices are particularly suited for low P-Channel voltage power

 9.1. Size:885K  alfa-mos
 afc4539ws.pdf pdf_icon

AFC4559

AFC4539WS Alfa-MOS 30V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC4539WS, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/5.8A,RDS(ON)=36m @VGS=10V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/5.5A,RDS(ON)=46m @VGS=4.5V These devices are particularly suited for low P-Channel voltage power

 9.2. Size:988K  alfa-mos
 afc4599.pdf pdf_icon

AFC4559

AFC4599 Alfa-MOS 40V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC4599, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology 40V/8A,RDS(ON)= 22m @VGS=10V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 40V/6A,RDS(ON)= 36m @VGS=4.5V These devices are particularly suited for low P-Channel voltage power mana

 9.3. Size:802K  alfa-mos
 afc4510s.pdf pdf_icon

AFC4559

AFC4510S Alfa-MOS 100V N & P Pair Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFC4510S, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology 100V/3.0A,RDS(ON)=140m @VGS=10V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 100V/2.0A,RDS(ON)=150m @VGS=4.5V These devices are particularly suited for low P-Channel voltage p

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AFC3326WS, AFC3346W, AFC3366W, AFC4510S, AFC4516, AFC4516W, AFC4539S, AFC4539WS, AON7506, AFC4599, AFC4604W, AFC5521, AFC5604, AFC5606, AFC6332, AFC6601, AFC6602