IRLR2905 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRLR2905
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 84 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для IRLR2905
IRLR2905 Datasheet (PDF)
irlr2905.pdf

PD- 91334EIRLR/U2905HEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate DriveD Ultra Low On-Resistance VDSS = 55V Surface Mount (IRLR2905) Straight Lead (IRLU2905)RDS(on) = 0.027G Advanced Process Technology Fast SwitchingID = 42A S Fully Avalanche RatedDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advancedprocessing techniques to achieve the l
irlr2905pbf irlu2905pbf.pdf

PD- 95084AIRLR/U2905PbFHEXFET Power MOSFETl Logic-Level Gate Drivel Ultra Low On-ResistanceDl Surface Mount (IRLR2905)VDSS = 55Vl Straight Lead (IRLU2905)l Advanced Process TechnologyRDS(on) = 0.027l Fast SwitchingGl Fully Avalanche RatedID = 42Al Lead-FreeSDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advancedprocessing t
irlr2905 irlu2905.pdf

PD- 95084AIRLR/U2905PbFHEXFET Power MOSFETl Logic-Level Gate Drivel Ultra Low On-ResistanceDl Surface Mount (IRLR2905)VDSS = 55Vl Straight Lead (IRLU2905)l Advanced Process TechnologyRDS(on) = 0.027l Fast SwitchingGl Fully Avalanche RatedID = 42Al Lead-FreeSDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advancedprocessing t
irlr2905.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IRLR2905, IIRLR2905FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)27mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFast SwitchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 55 VDSSV Gate-
Другие MOSFET... IRLR120A , IRLR120N , IRLR130A , IRLR210A , IRLR220A , IRLR230A , IRLR2703 , IRLR2705 , 75N75 , IRLR3103 , IRLR3303 , IRLR3410 , IRLS510A , IRLS520A , IRLS530A , IRLS540A , IRLS610A .
History: RSF010P05 | NCEP40T14A | FRM9230H | 2SK2729 | BRCS200N10SZC | CMP1405 | STP20NM60FP
History: RSF010P05 | NCEP40T14A | FRM9230H | 2SK2729 | BRCS200N10SZC | CMP1405 | STP20NM60FP



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTP330N06D | JMTP3010D | JMTP3008A | JMTP260N03D | JMTP250P03A | JMTP240N03D | JMTP240C03D | JMTP230C04D | JMTP170N06D | JMTP170N06A | JMTP170C04D | JMTP160P03D | JMTP130P04A | JMTP130N04A | JMTP120C03D | JMTL3134KT7
Popular searches
2sc3281 datasheet | 2sa1106 | 2sb56 | 2sc1451 datasheet | 2sc373 | a1023 datasheet | 2sc1080 | 2sb618