Справочник MOSFET. IRLS510A

 

IRLS510A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRLS510A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 23 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.5 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 5.5 nC

Время нарастания (tr): 10 ns

Выходная емкость (Cd): 50 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.44 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для IRLS510A

 

 

IRLS510A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:889K  samsung
irls510a.pdf

IRLS510A
IRLS510A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 100 V Logic Level Gate DriveRDS(on) = 0.44 Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology ID = 4.5 A Lower Input Capacitance Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 100V Lower RDS(ON) : 0.336 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum Ratin

 9.1. Size:938K  samsung
irls540a.pdf

IRLS510A
IRLS510A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 100 V Logic Level Gate DriveRDS(on) = 0.058 Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology ID = 17 A Lower Input Capacitance Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 100V Lower RDS(ON) : 0.046 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum Rating

 9.2. Size:892K  samsung
irls520a.pdf

IRLS510A
IRLS510A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 100 V Logic Level Gate DriveRDS(on) = 0.22 Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology ID = 7.2 A Lower Input Capacitance Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 100V Lower RDS(ON) : 0.176 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum

 9.3. Size:945K  samsung
irls530a.pdf

IRLS510A
IRLS510A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 100 V Logic Level Gate DriveRDS(on) = 0.12 Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology ID = 10.7 A Lower Input Capacitance Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 100V Lower RDS(ON) : 0.101 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum Ratings

Другие MOSFET... IRLR220A , IRLR230A , IRLR2703 , IRLR2705 , IRLR2905 , IRLR3103 , IRLR3303 , IRLR3410 , 7N60 , IRLS520A , IRLS530A , IRLS540A , IRLS610A , IRLS620A , IRLS630A , IRLS640A , IRLSZ14A .

 

 
Back to Top