AFN3030 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AFN3030  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: TO-252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AFN3030

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFN3030 даташит

 ..1. Size:833K  alfa-mos
 afn3030.pdf pdf_icon

AFN3030

AFN3030 Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN3030, N-Channel enhancement mode 30V/12A,RDS(ON)= 30m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/10A,RDS(ON)= 40m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for

 9.1. Size:853K  alfa-mos
 afn3019s.pdf pdf_icon

AFN3030

AFN3019S Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN3019S, N-Channel enhancement mode 30V/35A,RDS(ON)=9m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/20A,RDS(ON)=13m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for l

 9.2. Size:863K  alfa-mos
 afn3006s.pdf pdf_icon

AFN3030

AFN3006S Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN3006S, N-Channel enhancement mode 30V/45A,RDS(ON)=6m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/30A,RDS(ON)=9m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for lo

 9.3. Size:823K  alfa-mos
 afn3009s.pdf pdf_icon

AFN3030

AFN3009S Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN3009S, N-Channel enhancement mode 30V/35A,RDS(ON)=8.5m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/20A,RDS(ON)=11.5m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited f

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AFN2604, AFN2912W, AFN3006S, AFN3009S, AFN3015S, AFN3016S, AFN3019S, AFN3025S, IRF9540N, AFN3302W, AFN3306WS, AFN3309WS, AFN3310W, AFN3316W, AFN3400, AFN3400A, AFN3400AS