AFN3316W datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AFN3316W  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 17 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AFN3316W

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFN3316W даташит

 ..1. Size:514K  alfa-mos
 afn3316w.pdf pdf_icon

AFN3316W

AFN3316W Alfa-MOS 60V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN3316W, N-Channel enhancement mode 60V/8A,RDS(ON)=140m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 60V/6A,RDS(ON)=148m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for

 8.1. Size:498K  alfa-mos
 afn3310w.pdf pdf_icon

AFN3316W

AFN3310W Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN3310W, N-Channel enhancement mode 30V/16A,RDS(ON)=17m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/10A,RDS(ON)=19m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for

 9.1. Size:588K  alfa-mos
 afn3309ws.pdf pdf_icon

AFN3316W

AFN3309WS Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN3309WS, N-Channel enhancement mode 30V/20A,RDS(ON)=8m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/15A,RDS(ON)=11m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for

 9.2. Size:596K  alfa-mos
 afn3306ws.pdf pdf_icon

AFN3316W

AFN3306WS Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN3306WS, N-Channel enhancement mode 30V/20A,RDS(ON)=5.6m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/15A,RDS(ON)=7.4m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AFN3016S, AFN3019S, AFN3025S, AFN3030, AFN3302W, AFN3306WS, AFN3309WS, AFN3310W, IRFP260, AFN3400, AFN3400A, AFN3400AS, AFN3400S, AFN3402, AFN3402A, AFN3404, AFN3406