AFN3410 - аналоги и даташиты транзистора

 

AFN3410 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AFN3410
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6
 

 Аналог (замена) для AFN3410

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFN3410 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:574K  alfa-mos
 afn3410.pdf pdf_icon

AFN3410

AFN3410 Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN3410, N-Channel enhancement mode 30V/6.0A,RDS(ON)=27m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/4.5A,RDS(ON)=30m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for

 8.1. Size:568K  alfa-mos
 afn3414.pdf pdf_icon

AFN3410

AFN3414 Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN3414, N-Channel enhancement mode 20V/3.6A,RDS(ON)=58m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/3.2A,RDS(ON)=68m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/2.8A,RDS(ON)=88m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Supe

 8.2. Size:554K  alfa-mos
 afn3416.pdf pdf_icon

AFN3410

AFN3416 Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN3416, N-Channel enhancement mode 20V/4.0A,RDS(ON)=26m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/3.2A,RDS(ON)=30m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/2.8A,RDS(ON)=36m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Supe

 8.3. Size:700K  alfa-mos
 afn3414a.pdf pdf_icon

AFN3410

AFN3414A Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN3414A, N-Channel enhancement mode 20V/2.4A,RDS(ON)=70m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/2.0A,RDS(ON)=80m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/1.8A,RDS(ON)=100m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low S

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AFN3400S , AFN3402 , AFN3402A , AFN3404 , AFN3406 , AFN3406A , AFN3406AS , AFN3406S , IRF530 , AFN3414 , AFN3414A , AFN3414S , AFN3416 , AFN3424 , AFN3424A , AFN3426 , AFN3430W .

 

 
Back to Top

 


 
.