Справочник MOSFET. AFN3414

 

AFN3414 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AFN3414
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.058 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для AFN3414

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFN3414 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:568K  alfa-mos
 afn3414.pdf pdf_icon

AFN3414

AFN3414 Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN3414, N-Channel enhancement mode 20V/3.6A,RDS(ON)=58m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/3.2A,RDS(ON)=68m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/2.8A,RDS(ON)=88m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Supe

 0.1. Size:700K  alfa-mos
 afn3414a.pdf pdf_icon

AFN3414

AFN3414A Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN3414A, N-Channel enhancement mode 20V/2.4A,RDS(ON)=70m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/2.0A,RDS(ON)=80m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/1.8A,RDS(ON)=100m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low S

 0.2. Size:521K  alfa-mos
 afn3414s.pdf pdf_icon

AFN3414

AFN3414S Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN3414S, N-Channel enhancement mode 20V/4.0A,RDS(ON)=50m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/3.4A,RDS(ON)=60m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/2.8A,RDS(ON)=105m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low S

 8.1. Size:554K  alfa-mos
 afn3416.pdf pdf_icon

AFN3414

AFN3416 Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN3416, N-Channel enhancement mode 20V/4.0A,RDS(ON)=26m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/3.2A,RDS(ON)=30m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/2.8A,RDS(ON)=36m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Supe

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AFN3402 , AFN3402A , AFN3404 , AFN3406 , AFN3406A , AFN3406AS , AFN3406S , AFN3410 , IRLB4132 , AFN3414A , AFN3414S , AFN3416 , AFN3424 , AFN3424A , AFN3426 , AFN3430W , AFN3432 .

History: AUIRF7478Q | 2SK2101-01MR | BSC123N08NS3G | CEP84A4 | IRFP9133 | RHP030N03T100 | AM5931P

 

 
Back to Top

 


 
.