AFN3684S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AFN3684S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AFN3684S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFN3684S даташит

 ..1. Size:588K  alfa-mos
 afn3684s.pdf pdf_icon

AFN3684S

AFN3684S Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN3684S, N-Channel enhancement mode 30V/30A,RDS(ON)=9m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/18A,RDS(ON)=13m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for l

 9.1. Size:559K  alfa-mos
 afn3609s.pdf pdf_icon

AFN3684S

AFN3609S Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN3609S, N-Channel enhancement mode 30V/35A,RDS(ON)=6m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/20A,RDS(ON)=9m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for lo

 9.2. Size:568K  alfa-mos
 afn3630.pdf pdf_icon

AFN3684S

AFN3630 Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN3630, N-Channel enhancement mode 30V/20A,RDS(ON)=30m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/15A,RDS(ON)=38m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for lo

 9.3. Size:601K  alfa-mos
 afn3606s.pdf pdf_icon

AFN3684S

AFN3606S Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN3606S, N-Channel enhancement mode 30V/45A,RDS(ON)=5.0m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/30A,RDS(ON)=6.5m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited fo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AFN3458BW, AFN3460, AFN3466, AFN3484, AFN3484S, AFN3606S, AFN3609S, AFN3630, 8N60, AFN3806W, AFN3814W, AFN4048WS, AFN4102W, AFN4134, AFN4134W, AFN4172S, AFN4172WS