AFN4248W datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AFN4248W  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm

Тип корпуса: SOP-8P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AFN4248W

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFN4248W даташит

 ..1. Size:588K  alfa-mos
 afn4248w.pdf pdf_icon

AFN4248W

AFN4248W Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN4248W, N-Channel enhancement mode 20V/6.0A,RDS(ON)=28m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/5.0A,RDS(ON)=32m @VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/4.0A,RDS(ON)=42m @VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Su

 9.1. Size:578K  alfa-mos
 afn4228.pdf pdf_icon

AFN4248W

AFN4228 Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN4228, N-Channel enhancement mode 20V/ 8A,RDS(ON)=12m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/ 6A,RDS(ON)=15m @VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/ 5A,RDS(ON)=20m @VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Super h

 9.2. Size:483K  alfa-mos
 afn4214w.pdf pdf_icon

AFN4248W

AFN4214W Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN4214W, N-Channel enhancement mode 30V/9A,RDS(ON)=16m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/8A,RDS(ON)=18m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for lo

 9.3. Size:482K  alfa-mos
 afn4214.pdf pdf_icon

AFN4248W

AFN4214 Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN4214, N-Channel enhancement mode 30V/9A,RDS(ON)=15m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/8A,RDS(ON)=20m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AFN4134W, AFN4172S, AFN4172WS, AFN4210, AFN4210W, AFN4214, AFN4214W, AFN4228, AON7403, AFN4412, AFN4412W, AFN4422, AFN4424, AFN4424W, AFN4440, AFN4440W, AFN4486