Справочник MOSFET. AFN4248W

 

AFN4248W Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AFN4248W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8P
 

 Аналог (замена) для AFN4248W

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFN4248W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:588K  alfa-mos
 afn4248w.pdf pdf_icon

AFN4248W

AFN4248W Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN4248W, N-Channel enhancement mode 20V/6.0A,RDS(ON)=28m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/5.0A,RDS(ON)=32m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/4.0A,RDS(ON)=42m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Su

 9.1. Size:578K  alfa-mos
 afn4228.pdf pdf_icon

AFN4248W

AFN4228 Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN4228, N-Channel enhancement mode 20V/ 8A,RDS(ON)=12m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/ 6A,RDS(ON)=15m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/ 5A,RDS(ON)=20m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Super h

 9.2. Size:483K  alfa-mos
 afn4214w.pdf pdf_icon

AFN4248W

AFN4214W Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN4214W, N-Channel enhancement mode 30V/9A,RDS(ON)=16m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/8A,RDS(ON)=18m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for lo

 9.3. Size:482K  alfa-mos
 afn4214.pdf pdf_icon

AFN4248W

AFN4214 Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN4214, N-Channel enhancement mode 30V/9A,RDS(ON)=15m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/8A,RDS(ON)=20m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AFN4134W , AFN4172S , AFN4172WS , AFN4210 , AFN4210W , AFN4214 , AFN4214W , AFN4228 , EMB04N03H , AFN4412 , AFN4412W , AFN4422 , AFN4424 , AFN4424W , AFN4440 , AFN4440W , AFN4486 .

History: DMN3016LSS | BSP296N

 

 
Back to Top

 


 
.