Справочник MOSFET. AFN4486

 

AFN4486 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AFN4486
   Маркировка: 4486
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 13 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 285 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8P
 

 Аналог (замена) для AFN4486

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFN4486 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:578K  alfa-mos
 afn4486.pdf pdf_icon

AFN4486

AFN4486 Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN4486, N-Channel enhancement mode 20V/ 9A,RDS(ON)=14m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/ 7A,RDS(ON)=17m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/ 5A,RDS(ON)=21m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Super h

 9.1. Size:574K  alfa-mos
 afn4424.pdf pdf_icon

AFN4486

AFN4424 Alfa-MOS 40V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN4424, N-Channel enhancement mode 40V/8A,RDS(ON)= 22m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 40V/6A,RDS(ON)= 36m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for lo

 9.2. Size:600K  alfa-mos
 afn4440w.pdf pdf_icon

AFN4486

AFN4440W Alfa-MOS 60V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN4440W, N-Channel enhancement mode 60V/6.8A,RDS(ON)=42m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 60V/5.6A,RDS(ON)=50m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited fo

 9.3. Size:576K  alfa-mos
 afn4422.pdf pdf_icon

AFN4486

AFN4422 Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN4422, N-Channel enhancement mode 30V/ 6.8A,RDS(ON)=36m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/ 6.0A,RDS(ON)=42m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/ 5.2A,RDS(ON)=50m@VGS=2.5V These devices are particularly suited for low Su

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AFN4248W , AFN4412 , AFN4412W , AFN4422 , AFN4424 , AFN4424W , AFN4440 , AFN4440W , 5N50 , AFN4546 , AFN4634WS , AFN4804 , AFN4808W , AFN4822S , AFN4822WS , AFN4850WS , AFN4874WS .

History: AM40P10-200P | IPD082N10N3G

 

 
Back to Top

 


 
.