AFN4896 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AFN4896  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.115 Ohm

Тип корпуса: SOP-8P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AFN4896

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFN4896 даташит

 ..1. Size:582K  alfa-mos
 afn4896.pdf pdf_icon

AFN4896

AFN4896 Alfa-MOS 100V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN4896, N-Channel enhancement mode 100V/6.8A,RDS(ON)=115m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 100V/5.6A,RDS(ON)=125m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited

 9.1. Size:515K  alfa-mos
 afn4822ws.pdf pdf_icon

AFN4896

AFN4822WS Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN4822WS, N-Channel enhancement mode 30V/6.0A,RDS(ON)=34m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/5.0A,RDS(ON)=44m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited

 9.2. Size:537K  alfa-mos
 afn4804.pdf pdf_icon

AFN4896

AFN4804 Alfa-MOS 40V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN4804, N-Channel enhancement mode 40V/16A,RDS(ON)= 48m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 40V/10A,RDS(ON)= 70m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for

 9.3. Size:515K  alfa-mos
 afn4822s.pdf pdf_icon

AFN4896

AFN4822S Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN4822S, N-Channel enhancement mode 30V/6.0A,RDS(ON)=30m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/5.0A,RDS(ON)=42m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited fo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AFN4546, AFN4634WS, AFN4804, AFN4808W, AFN4822S, AFN4822WS, AFN4850WS, AFN4874WS, IRF540, AFN4900W, AFN4906, AFN4922W, AFN4924, AFN4924W, AFN4936S, AFN4936WS, AFN4946