Справочник MOSFET. AFN4997

 

AFN4997 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AFN4997
   Маркировка: 4997
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 90 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 10 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.068 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8P
 

 Аналог (замена) для AFN4997

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFN4997 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:575K  alfa-mos
 afn4997.pdf pdf_icon

AFN4997

AFN4997 Alfa-MOS 90V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN4997, N-Channel enhancement mode 90V/6.8A,RDS(ON)=68m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 90V/5.6A,RDS(ON)=75m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for

 8.1. Size:574K  alfa-mos
 afn4996.pdf pdf_icon

AFN4997

AFN4996 Alfa-MOS 90V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN4996, N-Channel enhancement mode 90V/7.6A,RDS(ON)=68m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 90V/6.8A,RDS(ON)=75m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for

 8.2. Size:583K  alfa-mos
 afn4998w.pdf pdf_icon

AFN4997

AFN4998W Alfa-MOS 100V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN4998W, N-Channel enhancement mode 100V/5.6A,RDS(ON)=120m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 100V/4.2A,RDS(ON)=130m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suit

 8.3. Size:582K  alfa-mos
 afn4998.pdf pdf_icon

AFN4997

AFN4998 Alfa-MOS 100V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN4998, N-Channel enhancement mode 100V/5.6A,RDS(ON)=130m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 100V/4.2A,RDS(ON)=145m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AFN4924 , AFN4924W , AFN4936S , AFN4936WS , AFN4946 , AFN4946BW , AFN4946W , AFN4996 , P55NF06 , AFN4998 , AFN4998W , AFN5004S , AFN501DEA , AFN5800 , AFN5800W , AFN5808W , AFN5904W .

History: DMT3008LFDF | AP9565AGH-HF | DMP57D5UFB | DMC1229UFDB

 

 
Back to Top

 


 
.