AFN8495 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AFN8495  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.044 Ohm

Тип корпуса: SOT-223

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AFN8495

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFN8495 даташит

 ..1. Size:585K  alfa-mos
 afn8495.pdf pdf_icon

AFN8495

AFN8459 Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN8459, N-Channel enhancement mode 30V/6.0A,RDS(ON)=44m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/5.5A,RDS(ON)=50m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for

 9.1. Size:551K  alfa-mos
 afn8412.pdf pdf_icon

AFN8495

AFN8412 Alfa-MOS 100V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN8412, N-Channel enhancement mode 100V/3.6A,RDS(ON)=300m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 100V/3.0A,RDS(ON)=310m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited

 9.2. Size:594K  alfa-mos
 afn8471.pdf pdf_icon

AFN8495

AFN8471 Alfa-MOS 60V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN8471, N-Channel enhancement mode 60V/5.8A,RDS(ON)=54m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 60V/4.6A,RDS(ON)=60m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for

 9.3. Size:584K  alfa-mos
 afn8439.pdf pdf_icon

AFN8495

AFN8439 Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN8439, N-Channel enhancement mode 30V/6.0A,RDS(ON)=45m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/5.5A,RDS(ON)=55m @VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AFN7420, AFN7424S, AFN7472S, AFN8205, AFN8411, AFN8412, AFN8439, AFN8471, AON7506, AFN8816, AFN8822, AFN8822S, AFN8832, AFN8904, AFN8918, AFN8936, AFN8968